臺積電5nm打造1700平方毫米巨型中介層：集成96GB HBM2E內存
2020-03-06 08:31:59 快科技之前我們就見識過Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，擁有46225平方毫米面積、1.2萬億個晶體管、40萬個AI核心、18GB SRAM緩存……并得到了美國能源部的青睞和部署。
現在，臺積電、博通聯合宣布，雙方將利用晶圓上芯片封裝(CoWos)技術，打造面積達1700平方毫米的中介層(Interposer)，是芯片蝕刻所用光掩模(光罩)尺寸極限858平方毫米的整整兩倍。
這樣規模的中介層顯然是無法一次性單個制造出來的，臺積電實際上是同時在晶圓上蝕刻多個中介層，然后將它們連接在一起，組成一個整體。
工藝上，臺積電也用上了最先進的5nm EUV(N5)，它將在今年上半年投入量產。
所謂中介層，用途就是串聯不同裸片(Die)的橋梁，因為隨著現代芯片日益復雜，制造單個大型SoC的代價越來越大，所以行業普遍開發出了各種新的封裝技術，將不同的小芯片、模塊整合在一起，構成一顆大芯片。
博通就計劃用這個龐大無比的中介層，封裝多個SoC芯片，以及六顆HMB2內存，單顆容量16GB，總容量達96GB/s，帶寬也高達2.7TB/s。
看這規格，應該是三星最新的HBM2E。
臺積電和高通未透露這種龐大芯片的具體規格，只是說將用于高性能計算領域。
另外，臺積電還在改進CoWoS封裝技術，所以未來不排除面積超過1700平方毫米的更大芯片。
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