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投資200億美元對抗三星，臺積電打響3nm狙擊戰！

2020-01-21 12:38:01 EETOP
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在上周的說法會上，臺積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元，其中80%將投向先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm。這次說法會上臺積電沒有公布3nm工藝的情況，因為他們4月份會有專門的發布會，會公開3nm工藝的詳情。

臺積電的3nm工藝技術最終選擇什么路線，對半導體行業來說很重要，因為目前能夠深入到3nm節點的就剩下臺積電和三星了，其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝，明確會放棄FinFET晶體管，轉向GAA環繞柵極晶體管技術。（參見：三星已攻克3nm關鍵GAA全能門技術！或將超越臺積電實現翻盤） 

具體來說，三星的3nm工藝分為3GAE和3GAP，這兩種制程性能更好，但是第一代的GAA晶體管技術是3GAE。據官方表示，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。
在2019年的日本SFF會議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。 


三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由于在7nm、5nm節點上都要落后于臺積電，所以三星押注3nm節點，希望在這個節點上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會在2021年就要量產。
至于臺積電，在3nm節點他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠，2020年會正式開工，不過技術細節一直沒有透露，尤其是臺積電是否會像是三星那樣選擇GAA晶體管或是會繼續改進FinFET晶體管，這兩種技術路線會影響未來很多高端芯片的選擇。  不管怎樣，臺積電與三星3nm的關鍵之戰已開啟。

關鍵詞： 3nm 三星 臺積電

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