投資200億美元對(duì)抗三星，臺(tái)積電打響3nm狙擊戰(zhàn)！
2020-01-21 12:38:01
EETOP
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在上周的說(shuō)法會(huì)上，臺(tái)積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元，其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm。這次說(shuō)法會(huì)上臺(tái)積電沒(méi)有公布3nm工藝的情況，因?yàn)樗麄?月份會(huì)有專門的發(fā)布會(huì)，會(huì)公開3nm工藝的詳情。
具體來(lái)說(shuō)，三星的3nm工藝分為3GAE和3GAP，這兩種制程性能更好，但是第一代的GAA晶體管技術(shù)是3GAE。據(jù)官方表示，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。
此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。
在2019年的日本SFF會(huì)議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星計(jì)劃在2030年前投資1160億美元打造半導(dǎo)體王國(guó)，由于在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上都要落后于臺(tái)積電，所以三星押注3nm節(jié)點(diǎn)，希望在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上超越臺(tái)積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對(duì)3GAE工藝寄予厚望，最快會(huì)在2021年就要量產(chǎn)。
至于臺(tái)積電，在3nm節(jié)點(diǎn)他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設(shè)3nm工廠，2020年會(huì)正式開工，不過(guò)技術(shù)細(xì)節(jié)一直沒(méi)有透露，尤其是臺(tái)積電是否會(huì)像是三星那樣選擇GAA晶體管或是會(huì)繼續(xù)改進(jìn)FinFET晶體管，這兩種技術(shù)路線會(huì)影響未來(lái)很多高端芯片的選擇。 不管怎樣，臺(tái)積電與三星3nm的關(guān)鍵之戰(zhàn)已開啟。
關(guān)鍵詞：
3nm
三星
臺(tái)積電
