英特爾10nm被超越！三星最新路線圖：5nm成為三星首個超過英特爾10nm的工藝節點
2019-10-20 14:50:15 EETOP7nm工藝的產品已經遍地開花，Intel的10nm處理器也終于在市場登陸，不過，對于晶圓巨頭們來說，制程之戰卻越發膠著。
在日前一場技術交流活動中，三星重新修訂了未來節點工藝的細節。
三星稱，EUV后，他們將在3nm節點首發GAA MCFET（多橋通道FET）工藝。由于FinFET的限制，預計在5nm節點之后會被取代。實際上，5nm在三星手中，也僅僅是7nm LPP的改良，可視為導入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個迭代版本，分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。
相較于年初的路線圖，三星6LPP只是簡單地引入SDB，從而提供了1.18倍的密度改進。另一個改變是刪除4LPP節點，在路線圖上只留下4LPE。最后，三星將3 GAAE和3 GAAP更名為3 GAE和3 GAP。
外媒wikichip分析：關于工藝核心指標，5nm LPE雖然沿用7nm LPP的晶體管和SRAM，但性能增強了11%，UHD下的密度會接近130MTr/mm²，相比英特爾的10納米密度為100MTr/mm²，臺積電7nm密度91MTr/mm²，終于成為三星第一個超過了Intel 10nm和臺積電7nm的工藝節點。不過值得一提的是，明年年初，臺積電將升級其N5節點，該節點的密度比三星提供的任何產品都要高，密度預計為171MTr/mm²。
在4nm LPE上（2021年推出），三星可以做到137 MTr/mm²的密度，接近臺積電5nm。
