存儲芯片領域 中國迎來打破美日韓壟斷關鍵一戰
2019-09-11 09:42:36 參考消息
據香港《大公報》近日報道，長江存儲官網消息，上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產基于XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相博覽會紫光集團展臺。
所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結構提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。
縮短產品上市周期
報道指出，長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高存儲密度。創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。
長江存儲相關負責人向《大公報》表示，長江存儲64層三維閃存產品的量產，將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內。
紫光集團聯席總裁刁石京表示，長江存儲進入到這個領域之前，國內一直沒有大規模存儲芯片的生產，未來，隨著云計算、大數據的發展，人類對數據存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域，它的量產也標志著中國離國際先進水平又大大跨近一步，把中國產品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。
明年底月產六萬片晶圓
業界有關人士分析，長江儲存發展迅速，但目前表態保守，其雖然未公布量產規模，預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平。
據報道，長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具意義。
業界預測，長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存，實現彎道超車。據悉，長江存儲已推出Xtacking2.0規劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業模式等，相關產品將被廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
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