存儲芯片領(lǐng)域 中國迎來打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)
2019-09-11 09:42:36 參考消息
據(jù)香港《大公報》近日報道，長江存儲官網(wǎng)消息，上海中國國際半導(dǎo)體博覽會舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會紫光集團(tuán)展臺。
所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。
縮短產(chǎn)品上市周期
報道指出，長江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲密度。創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
長江存儲相關(guān)負(fù)責(zé)人向《大公報》表示，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。
紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京表示，長江存儲進(jìn)入到這個領(lǐng)域之前，國內(nèi)一直沒有大規(guī)模存儲芯片的生產(chǎn)，未來，隨著云計算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對數(shù)據(jù)存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領(lǐng)域，它的量產(chǎn)也標(biāo)志著中國離國際先進(jìn)水平又大大跨近一步，把中國產(chǎn)品水平跟海外的先進(jìn)水平縮短到了一代。
明年底月產(chǎn)六萬片晶圓
業(yè)界有關(guān)人士分析，長江儲存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。
據(jù)報道，長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。
業(yè)界預(yù)測，長江存儲最快明年跳過96層直接進(jìn)入128層三維閃存，實(shí)現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長江存儲已推出Xtacking2.0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關(guān)產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等領(lǐng)域。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
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