合約價(jià)格持續(xù)下降，全球 DRAM 總產(chǎn)值第二季衰退 4.8%
2015-08-10 20:06:44 technewsTrendForce 旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，DRAM 市場(chǎng)第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約 10% 的影響，雖然位產(chǎn)出量持續(xù)增長(zhǎng)，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn) 4.8% 的季衰退，來到 114 億美金。在淡季影響下，各 DRAM 廠營(yíng)收都呈現(xiàn)衰退走勢(shì)，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星、SK 海力士與美光的 DRAM 產(chǎn)品別營(yíng)業(yè)獲利比率分別為 48%、37% 與 21%，因此 DRAM 產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會(huì)落在未來幾季。在需求端如筆電與智能手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自 20nm / 21nm 的比例將持續(xù)提升，DRAMeXchange 預(yù)期未來 DRAM 價(jià)格的跌幅恐怕持續(xù)。
DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，三星與 SK 海力士在全球第二季 DRAM 廠自有品牌內(nèi)存市占比率各為 45.1% 以及 27.7%，穩(wěn)定盤據(jù)全球超過七成的供給比率。美光半導(dǎo)體約為 20.6%，主要衰退除了來自于跌價(jià)損失外，位供給未現(xiàn)增長(zhǎng)也是原因之一。
從技術(shù)面觀察，三星的最新制程 20nm 表現(xiàn)令人驚艷，不僅導(dǎo)入順利、良率穩(wěn)定，時(shí)程更是大幅領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手約半年到一年，持續(xù)展現(xiàn)其領(lǐng)導(dǎo)廠商的制程優(yōu)勢(shì)。目前三星的 20nm 較大幅度集中在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存以及服務(wù)器內(nèi)存，但很快就會(huì)普及到所有的產(chǎn)品類別，在現(xiàn)今跌價(jià)的市場(chǎng)中持續(xù)帶來成本優(yōu)化的優(yōu)勢(shì)。SK 海力士最新制程 21nm 尚處于最初期的試產(chǎn)階段，已經(jīng)遞延到第三季底才送交驗(yàn)證的樣品，真正大量生產(chǎn)的時(shí)序會(huì)跟美光的 20nm 相當(dāng)接近，落在明年的第一季。而美光集團(tuán)方面，制程微縮與上季相較未顯突破，仍維持在 30nm，使得成本壓力相較于兩家韓商高出許多。
至于在臺(tái)系廠商部分，南亞科目前在 30nm 微縮制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度順利，預(yù)計(jì)產(chǎn)出年末將來到 60%，營(yíng)收方面小幅下滑 5.1%，20nm 制程預(yù)計(jì)明年下半年新工廠完工后導(dǎo)入量產(chǎn)行列。華亞科由于產(chǎn)品組合多以近期下跌幅度最劇烈的標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存為主，加上 30nm 制程落后于韓系廠商，毛利率從上季的 47.2% 大幅下修至第二季的 34.9%。力晶由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存生產(chǎn)多屬代工性質(zhì)，營(yíng)收較第一季維持一樣衰退，25nm 制程方面現(xiàn)已進(jìn)入試產(chǎn)階段，如順利最快明年初可以導(dǎo)入量產(chǎn)。華邦雖無標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存產(chǎn)品產(chǎn)出，但大容量利基型內(nèi)存市場(chǎng)也陷入殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的困境，營(yíng)收衰退 8.5% 左右，獲利也小幅下滑至 11.2%。
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