Transphorm和偉詮電子合作發布集成式GaN SiP
2023-03-21 12:40:32 EETOP該系統級封裝(SiP)氮化鎵功率管可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應用提供結構緊湊、具成本效益、快速面市的解決方案。
Transphorm將在APEC2023會議上展出該產品(展位#853)。
加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。
偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領導者之一，新推出的WT7162RHUG24A電源轉換器控制芯片，設計用于為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。該器件的樣品將在2023年第二季度推出。
位于臺灣地區新竹科學園區的偉詮電子是一家領先的無晶圓廠半導體公司，專門從事混合信號/數字IC產品的規劃、設計、測試、應用開發和分銷，產品用于電源、電機控制、圖像處理等多個應用領域。向市場推出該SiP新品，標志偉詮電子取得一項重大成就，新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對AC-DC電源市場的承諾——使用Transphorm的SuperGaN?技術提供完整的系統級解決方案。
該新產品上市，也再一次證明Transphorm氮化鎵器件的接口簡易性和卓越性能。Transphorm將在2023年應用電力電子會議(APEC)上首次展示這款偉詮電子的SiP（展位號為853）。兩家公司還將在會議期間發布有關WTDB_008 65W USB PD電源適配器評估板的詳細信息。
偉詮電子總經理林崇燾(Tony Lin)表示：“WT7162RHUG24A是業界首款公開發布的采用Transphorm GaN的SiP。能幫助制造商開發出成本更低的系統解決方案，因為此解決方案需要的器件更少，使用更小的PCB，還能減少系統開發時間。諸多優勢可以高效地幫助適配器制造商消除設計障礙。值得注意的是，憑借此新產品，偉詮電子可以進入一個新的市場。這是我們的PWM控制器有史以來的首個SiP，證明了偉詮電子對支持大批量增長領域的承諾。而且，通過與GaN FET的集成提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。”
Transphorm總裁兼首席運營官Primit Parikh表示：“適配器快充市場是目前氮化鎵應用的一個快速增長領域。我們正在擴大市場份額，并繼續創新。最近推出的這款GaN SiP，使Transphorm的GaN器件更易使用。我們很高興能將業界領先的SuperGaN平臺與偉詮電子的創新型適配器電源控制器技術結合起來。偉詮電子提供了一個領先的功率轉換平臺，可以為適配器/快速充電器客戶打造一個簡單易用的解決方案，雙方可以利用這個平臺加速贏得這個市場。”
WT7162RHUG24A的規格和特點
新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN? FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝，可減少印刷電路板尺寸。其它主要規格包括：
· 峰值功率效率：> 93%
· 功率密度：26 W/in3
· 寬輸出電壓操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V
· 最大頻率：180kHz
· 目標拓撲結構：QR反激模式/谷值開關多模操作
主要特點包括：
特點 | 優勢 |
可調節的GaN FET開/關速度 | 提高EMI測試和解決方案的靈活性 |
不需要外部VDD線性穩壓器電路 | 減少元件數量 |
減少封裝寄生效應（電感、電阻、電容） | 最大限度提高芯片性能 |
直接從交流主電壓的相線/中性線拉出700V超高壓啟動電流 | 減少元件數量 |
8x8 QFN封裝盡管增加了PWM | 適用于窄小空間，減小系統占地面積 |
目標應用和供貨信息
WT7162RHUG24A SiP適用于高性能、小體積USB-C電源適配器，可用于移動/物聯網設備，如智能手機、平板電腦、筆記本電腦、耳機、無人機、揚聲器、相機等。
如果想獲取此器件的樣品，請聯系sales@weltrend.com.tw了解最新的供貨信息。
關于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@TransphormGaN上關注我們。
關于偉詮電子
偉詮電子(TWSE: 2436)于1989年成立于“臺灣硅谷”新竹科學園區，是一家領先的無晶圓廠半導體公司，專門從事混合信號/數字IC產品的規劃、設計、測試、應用開發和分銷，產品用于電源、電機控制、圖像處理等多個應用領域。如需了解更多信息，請訪問www.weltrend.com。
SuperGaN是Transphorm, Inc.的注冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。
關鍵詞： USB-C Transphorm APEC2023
