高壓MOSFET系列提供低開關選項
2016-04-04 17:25:52 未知面向開關穩壓器設計的高速高壓MOSFET現在可以通過Toshiba Electronics Europe購買。這4款N溝道器件的額定電壓為800和900V，典型導通電阻（RDS(ON)）低至1.9Ω。
增強模式MOSFET基于公司的πMOS VIII（PI-MOS-8）第八代平面半導體工藝，整合了高水平單元集成和優化單元設計。該技術支持降低柵極電荷和電容，而不會犧牲RDS(ON) 低的優勢。
這些MOSFET是DTMOS IV 800V超結DTMOS4器件的低電流補充。2.5A TK3A90E和4.5A TK5A90E的VDSS額定值為900V，典型RDS(ON)分別為3.7Ω和2.5Ω。4.0A TK4A80E和5.0A TK5A80E器件的VDSS額定值均為800V，典型RDS(ON)分別為2.8Ω和1.9Ω。最大漏電流很低，僅10μA（VDS = 60V），柵極閾值電壓范圍為2.5~4.0V（在VDS為10V和漏極電流為0.4mA時）。所有器件均采用標準TO-220SIS封裝。
目標應用包括LED照明中的反激變換器、輔助電源和其它要求電流開關低于5A的電路。
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