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GaN Systems公司的GS66508T半橋評(píng)估板簡(jiǎn)化了GaN晶體管電路設(shè)計(jì)

2015-11-10 17:59:48 未知

點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元

全功能的GS66508T-EVBHB評(píng)估板是很容易配置到任何半橋型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括升壓和降壓模式。該評(píng)估板帶有一個(gè)快速入門的使用指南和YouTube視頻鏈接（https://www.youtube.com/user/GaNSystems）讓安裝和運(yùn)行在幾分鐘內(nèi)。的評(píng)估板可用于在同步升壓或降壓的轉(zhuǎn)換，以及脈沖開關(guān)來評(píng)價(jià)晶體管波形。該試劑盒具有完全的文檔，包括比爾-的材料組成部分的數(shù)字，PCB布局和散熱管理，以及柵極驅(qū)動(dòng)電路參考設(shè)計(jì)，這也是有效的系統(tǒng)工程師在其產(chǎn)品中使用。

旨在提供電氣工程師提供一個(gè)完整的工作功率級(jí)，評(píng)估板包含兩個(gè)650V，30A GS66508T氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，柵極驅(qū)動(dòng)電源和散熱器。100V/nS and ultra-low thermal losses." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋體; font-size: 14px; line-height: 26px;">該GS66508T高功率晶體管是基于氮化鎵的系統(tǒng)專有島技術(shù)，屬于其650V的其實(shí)現(xiàn)與> 100V / NS和超低熱損耗快速開關(guān)速度極其高效的電源轉(zhuǎn)換的高密度設(shè)備的家庭。氮化鎵系統(tǒng)公司是唯一一家開發(fā)和產(chǎn)品化的GaN功率晶體管全面的產(chǎn)品組合，100V和650V和7A額定電流至250A的額定電壓。氮化鎵Systems的島技術(shù)®模具設(shè)計(jì)，結(jié)合非常低電感和GaNPX包裝的熱效率，提供了在切換和過傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT傳導(dǎo)性能其氮化鎵的FET與45X改善。

mcu" style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋體; font-size: 14px; line-height: 26px;">在30A /55mΩGS66508T GaN功率晶體管是頂側(cè)冷卻功能接近芯片級(jí)，熱效率GaNPX包裝。在1.5kW的98.7％的功率轉(zhuǎn)換效率被示出的產(chǎn)品文件，并且可以在主人的實(shí)驗(yàn)室中再現(xiàn)。

該評(píng)估板提供腳印為輸出功率電感器和電容器，以允許用戶配置主板成所需的升壓或降壓操作模式。訪問晶體管的結(jié)溫是由兩個(gè)熱電偶?jí)|和熱成像相機(jī)端口提供。電源輸入應(yīng)該是9VDC至12VDC，以絕對(duì)最高15V的。板載穩(wěn)壓器產(chǎn)生的+ 5V的邏輯電路和+ 6.5V的柵極驅(qū)動(dòng)器。有三種操作模式：脈沖測(cè)試模式;降壓/標(biāo)準(zhǔn)半橋模式和升壓模式。

新GS66508T高電流半橋評(píng)估板現(xiàn)已開始全球范圍內(nèi)，可以通過搜索“GS66508T-EVBHB”的一部分號(hào)碼找到一個(gè)當(dāng)?shù)厥跈?quán)分銷商處采購(gòu)。