Vishay發布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET
2015-05-23 15:17:56 未知 |
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復電荷和導通電阻，在工業、電信、計算和可再生能源應用中可提高可靠性，并且節能。
今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造，充實了Vishay現有的標準E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相
全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。
在這些應用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產設備中的高功率、高頻開關應用里，可實現極低的導通和開關損耗。
這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。
器件規格表：
產品編號 | VDS (V) (最小值) | ID (A) @ 25 °C | RDS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值) | QG (nC) @ 10 V (典型值) | 封裝 |
SiHP21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-220 |
SiHB21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-263 |
SiHA21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | Thin lead TO-220F |
SiHG21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-247AC |
SiHG47N60EF | 600 | 47 | 65 | 152 | TO-247AC |
SiHW47N60EF | 600 | 47 | 65 | 152 | TO-247AD |
SiHG70N60EF | 600 | 70 | 38 | 253 | TO-247AC |
SiHW70N60EF | 600 | 70 | 38 | 253 | TO-247AD |
