飛兆半導體推出1200 V 溝槽型場截止IGBT 提供更快速的開關性能
2013-12-06 09:19:41 本站原創飛兆半導體推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業應用為目標，如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設計中實現更好的效率和可靠性。
這種新型1200 V場截止IGBT系列 具有1.8 V的VCE(SAT)，其遠低于以前的快速開關NPT IGBT，可最大程度地降低導通損耗。這些新器件具有1200V快速開關IGBT市場中提供的最低VCE(SAT) 額定值之一。開關損耗較低， EOFF 值在30 μJ/A以下。所有器件均包含為快速開關優化的相同封裝的二極管。
“需要創新的新型功率電子技術幫助光伏逆變器生產商降低成本、提高效率并增強可靠性。”工業功率系統總監MH Lee先生說。“我們的1200 V溝槽型場截止IGBT系列可幫助客戶提高其太陽能逆變器設計中的能效和可靠性，并幫助制造商滿足政府法規和最終客戶不斷節能的需求。”
1200 V 場截止溝道IGBT系列還允許設計人員在比競爭解決方案更高的開關頻率下操作器件，從而有助于減小電容的尺寸和成本以及電路中的電感組件。這樣可實現具有較高功率密度、較小尺寸和較低物料成本的系統設計。
此IGBT系列100%經過在額定電流四倍的電流下箝位電感開關測試，以保證較大的安全工作區(SOA)。
這些產品采用具有20mm引腳長度的較小TO247封裝(與之前系列的TO264封裝相比)，并提供15、25和40 A的額定電流。
特點與優勢：
低飽和電壓： VCE(SAT) = 1.8 V @ 額定集電極電流(Ic)
• 高速開關： • 低 EOFF = 6.6μJ/A
寬SOA(100%電感負載開關測試;ILM = 4倍Ic額定值)
易于并聯運行(正溫度系數)
Tj = 175°C(最大結溫)
高輸入阻抗
符合 RoHS 標準
飛兆半導體的溝槽型場截止IGBT提供業界領先的技術，可應對當今設計中遇到的能效和外形尺寸挑戰。這些應用都是飛兆半導體節能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現最大限度的節能。
報價:(訂購 1,000 個,美元)
FGH15T120SMD_F155 – 1200 V/15 A: $3.30
FGH25T120SMD_F155 – 1200 V/25 A: $4.65
FGH40T120SMD_F155 – 1200 V/40 A: $6.30
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