Vishay推出SiSS27DN器件擴充Gen III P溝道功率MOSFET
2013-07-15 19:58:03 本站原創日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅動下具有業內較低的導通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。
SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負載開關，以及移動計算、智能手機和平板電腦中電源管理等各種應用的適配器和電池開關。這些器件的低導通電阻在業內領先，使設計者能夠在電路里實現更低的壓降，更有效地使用能源，并延長電池使用時間。
在需要更高電壓的應用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導通電阻。在導通電阻非常重要的場合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。
SiS443DN和SiSS27DN進行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規格表：
新款P溝道MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
