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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

2013-07-13 14:52:09 本站原創
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東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設備鋰離子電池和功率管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造,實現了低導通電阻,可減少設備的傳導損失。

 

Toshiba Low Voltage N-channel MOSFET

主要特性

1. 采用第八代工藝打造,實現低導通電阻。

2. 采用TSON Advance封裝,具有很好的導熱性。

3. 高雪崩電阻。

主要規格

東芝MOSFET

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