IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列
2010-11-21 18:39:51 本站原創(chuàng)國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術(shù)改進(jìn)的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標(biāo)準(zhǔn)PQFN 3 x 3器件高出多達(dá)60%的負(fù)載電流能力，同時(shí)極大地減少了整體封裝電阻，從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 。除了低導(dǎo)通電阻，新的高性能PQFN封裝加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及MSL1濕度敏感性測(cè)試。
這一高性能PQFN封裝技術(shù)也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標(biāo)準(zhǔn)PQFN 5 x 6 器件相比，在設(shè)計(jì)要求更多電流時(shí)無需增加額外占位面積。
該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件，具有低柵極導(dǎo)通電阻 (Rg) ，以減少開關(guān)損耗。在同步MOSFET應(yīng)用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復(fù)時(shí)間，以提高效率和EMI性能。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應(yīng)用優(yōu)化，是非常可靠且靈活的高密度解決方案。此外，隨著IR對(duì)PQFN產(chǎn)品的擴(kuò)展，客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設(shè)計(jì)達(dá)到最佳效果的產(chǎn)品。”
新器件的高度小于1 mm，與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容，并擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號(hào) | 封裝 | BVDSS (V) | 最大VGS (V) | 在10V下典型/最大RDSon (mΩ) | 在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ) | 在4.5V下典型Qg (nC) | 額外 |
IRFHM831 | PQFN 3x3 | 30V | ±20V | 6.6 / 7.8 | 10.7 / 12.6 | 7.3 | 低Rg |
IRFHM830D | PQFN 3x3 | 30V | ±20V | 3.4 / 4.3 | 5.7 / 7.1 | 13 | FETky |
IRFHM830 | PQFN 3x3 | 30V | ±20V | 3.0 / 3.8 | 4.8 / 6.0 | 15 | |
IRFH5303 | PQFN 5x6 | 30V | ±20V | 3.6 / 4.2 | 5.7 / 6.8 | 15 | 低Rg |
IRFH5304 | PQFN 5x6 | 30V | ±20V | 3.8 / 4.5 | 5.8 / 6.8 | 16 | |
IRFH5306 | PQFN 5x6 | 30V | ±20V | 6.9 / 8.1 | 11.0 / 13.3 | 7.8 | |
IRFH5255 | PQFN 5x6 | 25V | ±20V | 5.0 / 6.0 | 8.8 / 10.9 | 7.0 | 低Rg |
IRFH5250D | PQFN 5x6 | 25V | ±20V | 1.0 / 1.4 | 1.7 / 2.2 | 39 | FETky |
IR網(wǎng)站：www.irf.com
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
