IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列
2010-11-21 18:39:51 本站原創國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產技術改進的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標準PQFN 3 x 3器件高出多達60%的負載電流能力，同時極大地減少了整體封裝電阻，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) 。除了低導通電阻，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導率并提高了可靠性，且符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。
這一高性能PQFN封裝技術也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標準PQFN 5 x 6 器件相比，在設計要求更多電流時無需增加額外占位面積。
該系列產品包括用作控制MOSFET的優化器件，具有低柵極導通電阻 (Rg) ，以減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復時間，以提高效率和EMI性能。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應用優化，是非常可靠且靈活的高密度解決方案。此外，隨著IR對PQFN產品的擴展，客戶現在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設計達到最佳效果的產品。”
新器件的高度小于1 mm，與現有表面貼裝技術兼容，并擁有行業標準引腳，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
產品規格
器件編號 | 封裝 | BVDSS (V) | 最大VGS (V) | 在10V下典型/最大RDSon (mΩ) | 在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ) | 在4.5V下典型Qg (nC) | 額外 |
IRFHM831 | PQFN 3x3 | 30V | ±20V | 6.6 / 7.8 | 10.7 / 12.6 | 7.3 | 低Rg |
IRFHM830D | PQFN 3x3 | 30V | ±20V | 3.4 / 4.3 | 5.7 / 7.1 | 13 | FETky |
IRFHM830 | PQFN 3x3 | 30V | ±20V | 3.0 / 3.8 | 4.8 / 6.0 | 15 | |
IRFH5303 | PQFN 5x6 | 30V | ±20V | 3.6 / 4.2 | 5.7 / 6.8 | 15 | 低Rg |
IRFH5304 | PQFN 5x6 | 30V | ±20V | 3.8 / 4.5 | 5.8 / 6.8 | 16 | |
IRFH5306 | PQFN 5x6 | 30V | ±20V | 6.9 / 8.1 | 11.0 / 13.3 | 7.8 | |
IRFH5255 | PQFN 5x6 | 25V | ±20V | 5.0 / 6.0 | 8.8 / 10.9 | 7.0 | 低Rg |
IRFH5250D | PQFN 5x6 | 25V | ±20V | 1.0 / 1.4 | 1.7 / 2.2 | 39 | FETky |
IR網站：www.irf.com
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