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據《自然》期刊發表的論文報道，約翰斯?霍普金斯大學的研究團隊研發出一種新型芯片制造技術，該技術采用波長 6.5 納米至 6.7 納米的激光（即軟 X 射線），可將光刻設備的分辨率提升至 5 納米及以下。科研人員將其命名為 “超極紫外光刻技術”（Beyond-EUV），暗示該技術有望取代行業標準的極紫外（EUV）光刻技術。不過研究團隊坦言，即便要搭建實驗性 B-EUV 設備，仍需數年時間攻關。

軟 X 射線光刻：從理論挑戰超數值孔徑技術

當前最先進的芯片制造依賴 EUV 光刻技術：工作波長 13.5 納米的極紫外光在 0.33 數值孔徑（Low-NA）系統中可實現 13 納米制程；0.55 數值孔徑（High-NA）系統能突破至 8 納米；而 0.7-0.75 超數值孔徑（Hyper-NA）系統雖可企及 4-5 納米制程，卻需配備數億美元的極端復雜光學系統。
約翰斯?霍普金斯大學的研究表明，即便采用中等數值孔徑的透鏡，短波長軟 X 射線仍能憑借固有特性提升分辨率。然而 B-EUV 技術面臨多重現實挑戰：

1. 光源技術瓶頸
   盡管科研人員已嘗試多種方案（如釓激光等離子體）生成 6.7 納米波長輻射，但尚未形成行業標準光源方案；
2. 光刻膠兼容性難題
   短波長光的高光子能量與傳統芯片光刻膠材料相互作用效率極低；
3. 光學元件空白
   6.5-6.7 納米波長光幾乎被所有材料吸收而非反射，此前從未成功制備該波段的多層鍍膜反射鏡；
4. 生態系統缺失
   此類光刻設備需從零設計，目前缺乏配套元件與耗材供應鏈支持。換言之，研發 B-EUV 設備（或軟 X 射線光刻機）需在光源、投影反射鏡、光刻膠乃至 pellicle（ pellicle，中文常譯為 “保護膜”）/ 光掩模等耗材領域實現全面突破。

分階段攻克技術壁壘

由邁克爾?察帕齊斯（Michael Tsapatsis）教授領銜的約翰斯?霍普金斯大學團隊，目前聚焦于探索特定金屬材料對 B-EUV（約 6 納米波長）光與芯片光刻膠相互作用的優化（注：該研究尚未涉及軟 X 射線相關的其他技術挑戰）。