臺積電官宣1.4nm量產時間表！全新工藝，性能功耗大幅躍升！
2025-04-24 11:34:19 EETOP臺積電（TSMC）已披露其 A14（1.4 納米級）制造技術，并承諾該技術將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其 N2（2 納米）工藝帶來顯著提升。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，這一新節點將采用其第二代環繞柵極（GAA）納米片晶體管，并借助 NanoFlex Pro 技術提供更高的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入大規模生產階段，但屆時不具備背面供電功能。帶有背面供電功能的 A14 版本計劃于 2029 年推出。
臺積電業務發展與全球銷售高級副總裁兼副首席運營官張曉強（Kevin Zhang）表示：“A14 是我們的全節點下一代先進硅技術。如果從速度方面來看，（與 N2 相比）性能提升高達 15%，功耗降低 30%，邏輯密度是整體芯片密度的 1.23 倍，對于混合設計而言至少是 1.2 倍。所以，這是一項非常非常重要的技術。”
臺積電的 A14 是全新的工藝技術，基于該公司的第二代 GAAFET 納米片晶體管和新的標準單元架構，以實現性能、功耗和規模擴展方面的優勢。臺積電預計，與 N2 相比，在相同功耗和復雜度的情況下，A14 的性能將提升 10% 至 15%；在相同頻率和晶體管數量的情況下，功耗將降低 25% 至 30%；晶體管密度（分別針對混合芯片設計和邏輯芯片）將提高 20% 至 23%。由于 A14 是一個全新的節點，與 N2P（利用了 N2 的IP）以及配備背面供電功能的 N2P 升級版 A16 相比，它將需要新的IP、優化方案和電子設計自動化（EDA）軟件。
** 在相同的面積下。
*** 在相同的速度下。
與 A16（以及 N2 和 N2P）不同，A14 沒有超級電源軌（SPR）背面供電網絡（BSPDN），這使得該技術能夠針對那些無法從背面供電網絡中獲得實際效益的應用場景 —— 因為背面供電網絡會增加額外成本。有許多客戶端、邊緣計算和特殊應用場景，能夠利用臺積電第二代 GAA 納米片晶體管帶來的更高性能、更低功耗和更高晶體管密度的優勢，但這些應用并不需要密集的電源布線，采用傳統的正面供電網絡即可滿足需求。
張曉強表示：“這項技術還具備我們的……NanoFlex Pro 技術，（實際上）這是一種設計技術協同優化（DTCO），它允許設計師以非常靈活的方式設計產品，使他們能夠實現最佳的功耗性能效益。這項技術將于 2028 年投入生產。該技術的第一個版本不具備背面電源軌。”
當然，臺積電了解其開發高性能客戶端和數據中心應用的客戶的需求，因此計劃在 2029 年推出配備 SPR 背面供電功能的 A14 版本。目前，該公司尚未披露這一工藝技術的確切名稱，不過按照臺積電的傳統命名方式，預計它很可能會被稱為 A14P。展望未來，預計在 2029 年之后的某個時候，A14 將推出其最高性能版本（A14X）和成本優化版本（A14C）。
臺積電 A14 系列工藝技術的主要優勢之一是其 NanoFlex Pro 架構，這將使芯片設計師能夠微調晶體管配置，從而針對特定應用或工作負載實現最佳的功耗、性能和面積（PPA）平衡。通過非 Pro 版本的 FinFlex，開發人員可以在一個模塊內混合搭配來自不同庫（高性能、低功耗、面積高效）的單元，以優化性能、功耗和面積。臺積電尚未披露 NanoFlex Pro 與 NanoFlex 之間的明確技術差異，所以我們只能猜測，新版本是否允許對單元（甚至是晶體管）進行更精細的控制，或者是否會提供更好的算法和軟件優化，以便更快地探索和優化晶體管級別的權衡取舍。
臺積電 A14 工藝技術的芯片生產目標時間是 2028 年，不過該公司沒有提及將在這一年的上半年還是下半年開始大規模量產 A14 芯片。考慮到 A16 和 N2P 將于 2026 年下半年（即 2026 年末）開始大規模量產，并且相關芯片將于 2026 年推向市場，我們認為 A14 的目標時間很可能是 2028 年上半年，以便及時為下半年推出的客戶端應用提供支持。
