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臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展與全球銷售高級副總裁兼副首席運營官張曉強（Kevin Zhang）表示：“A14 是我們的全節(jié)點下一代先進硅技術(shù)。如果從速度方面來看，（與 N2 相比）性能提升高達 15%，功耗降低 30%，邏輯密度是整體芯片密度的 1.23 倍，對于混合設(shè)計而言至少是 1.2 倍。所以，這是一項非常非常重要的技術(shù)。” 

臺積電的 A14 是全新的工藝技術(shù)，基于該公司的第二代 GAAFET 納米片晶體管和新的標準單元架構(gòu)，以實現(xiàn)性能、功耗和規(guī)模擴展方面的優(yōu)勢。臺積電預(yù)計，與 N2 相比，在相同功耗和復(fù)雜度的情況下，A14 的性能將提升 10% 至 15%；在相同頻率和晶體管數(shù)量的情況下，功耗將降低 25% 至 30%；晶體管密度（分別針對混合芯片設(shè)計和邏輯芯片）將提高 20% 至 23%。由于 A14 是一個全新的節(jié)點，與 N2P（利用了 N2 的IP）以及配備背面供電功能的 N2P 升級版 A16 相比，它將需要新的IP、優(yōu)化方案和電子設(shè)計自動化（EDA）軟件。

TSMC 新工藝技術(shù)的 PPA 改進數(shù)據(jù)對比

與 A16（以及 N2 和 N2P）不同，A14 沒有超級電源軌（SPR）背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），這使得該技術(shù)能夠針對那些無法從背面供電網(wǎng)絡(luò)中獲得實際效益的應(yīng)用場景 —— 因為背面供電網(wǎng)絡(luò)會增加額外成本。有許多客戶端、邊緣計算和特殊應(yīng)用場景，能夠利用臺積電第二代 GAA 納米片晶體管帶來的更高性能、更低功耗和更高晶體管密度的優(yōu)勢，但這些應(yīng)用并不需要密集的電源布線，采用傳統(tǒng)的正面供電網(wǎng)絡(luò)即可滿足需求。 

張曉強表示：“這項技術(shù)還具備我們的……NanoFlex Pro 技術(shù)，（實際上）這是一種設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），它允許設(shè)計師以非常靈活的方式設(shè)計產(chǎn)品，使他們能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的功耗性能效益。這項技術(shù)將于 2028 年投入生產(chǎn)。該技術(shù)的第一個版本不具備背面電源軌。” 

當然，臺積電了解其開發(fā)高性能客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的客戶的需求，因此計劃在 2029 年推出配備 SPR 背面供電功能的 A14 版本。目前，該公司尚未披露這一工藝技術(shù)的確切名稱，不過按照臺積電的傳統(tǒng)命名方式，預(yù)計它很可能會被稱為 A14P。展望未來，預(yù)計在 2029 年之后的某個時候，A14 將推出其最高性能版本（A14X）和成本優(yōu)化版本（A14C）。 

臺積電 A14 系列工藝技術(shù)的主要優(yōu)勢之一是其 NanoFlex Pro 架構(gòu)，這將使芯片設(shè)計師能夠微調(diào)晶體管配置，從而針對特定應(yīng)用或工作負載實現(xiàn)最佳的功耗、性能和面積（PPA）平衡。通過非 Pro 版本的 FinFlex，開發(fā)人員可以在一個模塊內(nèi)混合搭配來自不同庫（高性能、低功耗、面積高效）的單元，以優(yōu)化性能、功耗和面積。臺積電尚未披露 NanoFlex Pro 與 NanoFlex 之間的明確技術(shù)差異，所以我們只能猜測，新版本是否允許對單元（甚至是晶體管）進行更精細的控制，或者是否會提供更好的算法和軟件優(yōu)化，以便更快地探索和優(yōu)化晶體管級別的權(quán)衡取舍。 

臺積電 A14 工藝技術(shù)的芯片生產(chǎn)目標時間是 2028 年，不過該公司沒有提及將在這一年的上半年還是下半年開始大規(guī)模量產(chǎn) A14 芯片。考慮到 A16 和 N2P 將于 2026 年下半年（即 2026 年末）開始大規(guī)模量產(chǎn)，并且相關(guān)芯片將于 2026 年推向市場，我們認為 A14 的目標時間很可能是 2028 年上半年，以便及時為下半年推出的客戶端應(yīng)用提供支持。