SK海力士推出全球首款 1c DRAM——第六代10納米級制程技術
2024-08-29 13:11:25 EETOP韓國存儲器大廠SK海力士宣布，該公司已經成功開發出全球首次采用第六代10納米級制程技術的16GbDDR5 DRAM。另外，SK海力士還展現了10納米等級的超微細化存儲制造技術。
SK海力士強調，隨著10納米級DRAM技術的世代傳承，微細技術的難度也隨之加大。但是，公司以獲得業界最高性能認可的第五代 （1b） 技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在2024年內完成1c制程技術的DDR5 DRAM的量產準備，從2025年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。
SK海力士以1b制程技術的DRAM平臺擴展方式開發了1c制程技術。SK海力士技術團隊認為，如此不僅可以減少制程高度精細化過程中可能發生的錯誤嘗試，還可以最有效的將受到認可的業界當中最高性能DRAM的1b制程技術優勢轉移到1c制程技術上。
而且，SK 海力士在部分EUV制程中開發并適用了新材料，也在整個制程中針對EUV適用制程進行了優化，借此以確保了成本競爭力。在此同時，在1c制程技術上也進行了設計技術革新，與前一代1b制程技術相較，其生產率提高了30%以上。
另外，此次1c制程技術的DDR5DRAM將主要用于高性能數據中心上，其執行速度為8Gbps，與前一代相較速度提高了11%，能效也提高了9%以上。而隨著 AI 時代的到來，數據中心的耗電量在持續增加當中，如果云服務供應商的客戶將 SK 海力士 1c DRAM 采用到數據中心上，則公司預測其電費最高能減少 30%。
關鍵詞： DRAM
