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ASML 正在開發hyper-NA EUV光刻機

2024-05-22 12:17:52 EETOP
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數值孔徑High-NA EUV光刻剛剛起步,ASML又開始致力于開發超數孔徑Hyper-NA EUV光刻機ASML譽首席技術官Martin van den Brink在安特衛普舉行的Imec技術論壇(ITF)上發表演講時透露了公司的未來規劃。他表示,在未來十年內,ASML將構建一個集成低數值孔徑、高數值孔徑和超數孔徑EUV系統的單一平臺。這一舉措被視為減少工藝步驟數量、降低晶圓加工成本和能源消耗的關鍵。

Van den Brink進一步強調了Hyper-NA EUV工具的重要性,指出它能夠簡化復雜的雙重圖案工藝,降低生產難度。他解釋說,這種高分辨率工具的可用性對于半導體制造行業至關重要。

值得注意的是,高數值孔徑EUV(high-NA)光刻技術目前正處于起步階段。ASML自去年12月開始出貨高數值孔徑工具,目前僅英特爾一家采用,而臺積電則表示短期內不會采用。為了推動該技術的研發和應用,ASML將在幾周內正式在費爾德霍芬開設高數值孔徑實驗室,該實驗室將與Imec共同運營,為芯片制造商提供該工具的早期使用權。

圖片

事實上,該實驗室的系統已經投入使用,并成功打印了有史以來第一個10納米線陣圖案。據Van den Brink的最新更新,該系統已經能夠產生8nm線陣圖案,接近該工具的最大分辨率。這一成果進一步證明了ASMLEUV光刻技術領域的領先地位和持續創新的能力。


關鍵詞: ASML EUV光刻機

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