林本堅：半導體技術已經進化，無法由單一國家壟斷
2024-04-03 09:33:19 EETOP林本堅表示，當制程從5微米到5納米，走了21個技術世代，不僅把集成電路的周距縮小到千分之一以下，也把線路面積縮小到百萬分之一。在微影制程微縮的過程當中，搭配使用的曝光光源波長也越來越短，從汞燈光源（436納米）一路縮小到極紫外光EUV（13.5納米）。
「浸潤式微影技術則是讓制程可以繼續微縮的關鍵之一。」林本堅表示，在2002年的演講中宣布透過以水為介質的193納米浸潤式微影技術。193納米除以超純水的折射率1.44，產生134納米波長的光，可提高分辨率，突破157納米干式微影限制，并且沒有氟化鈣質和量的問題，不需要把光經過的空間充滿氮氣，也不需要研發157納米可用的光罩保護膜，并解決光阻吸收率與抗蝕刻率的問題。
因為浸潤式微影技術突破，讓半導體制程一路從65納米微縮到45納米，并且把摩爾定律延伸了6個世代（12年），從45納米、28納米、20納米、16納米、10納米，延伸至7納米世代。
林本堅表示，極紫外光微影（EUV)暨浸潤式微影之后把量產延伸到5納米、3納米及2納米等世代，且在繼續延伸之中。它的重點在把光的波長縮短到13.5納米，以提高分辨率。因波長劇烈地縮短所引出的各種困難已得到適度的解決，卻仍有許多可研發改進的機會。
林本堅在演說中也點出，半導體科技已經進化到不是任何國家和地區可以全部壟斷，因為半導體設備包括設計、光源、材料、蝕刻、沉積、檢測、量產等不同關鍵技術，分布在美國、荷蘭、德國、日本、臺灣地區、韓國等國家和地區，所以是無法由單一國家進行半導體科技壟斷。
