三星3納米良率大幅拉高！
2024-03-23 11:06:58 EETOP知名爆料人Revegnus 22日透過社交平臺X指出，三星3納米良率一開始雖只有10%~20%，但最近拉升至三倍以上。
Revegnus表示，消息人士透露，三星3納米制程的能源效率（power efficiency）、邏輯區域（logic area）都比4納米FinFET改善20%~30%。
韓國媒體TheElec報道，三星共同CEO慶桂顯（Kyung Kye-hyun）20日在年度股東大會預測，今年半導體營收有望重返2022年衰退前水準。
慶桂顯指出，存儲器事業1月轉虧為盈，今年恢復元氣，除了高帶寬存儲器（HBM），開放性高速互連通訊協議CXL（Compute Express Link）、存儲器處理器（Processor In Memory， PIM）也與客戶接洽，結果很快就能出爐。
三星晶圓代工事業總裁崔時榮（Siyoung Choi）同場合表示，雖然英特爾（Intel Corp.）談論1.4納米制程，但三星及臺積電都有制程規劃。他說，客戶要的是穩定供應、產品具競爭力的晶圓代工商，三星4納米良率已成熟。
崔時榮并表示，第二代3納米制程下半年投產，2納米投產時間是明年。
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