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Canon發(fā)布新聞稿宣布，已于13日開賣采用「納米壓印（Nano-imprint Lithography；NIL）」技術(shù)、可用低成本制造高性能先進芯片的微影設(shè)備「FPA-1200NZ2C」。Canon指出，NIL微影設(shè)備可用來生產(chǎn)現(xiàn)行最先進的5nm邏輯芯片，且經(jīng)由改良，期待可進一步用來生產(chǎn)2nm產(chǎn)品。

產(chǎn)經(jīng)新聞報道，Canon目標藉由NIL微影設(shè)備挑戰(zhàn)在先進芯片制造設(shè)備上居于領(lǐng)先地位的荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭艾司摩爾（ASML Holding NV）。ASML是目前全球唯一一家可生產(chǎn)芯片細微化所不可或缺的「EUV（極紫外光）」微影設(shè)備廠商。

彭博社報道，有別于現(xiàn)行的微影設(shè)備須藉由曝光、將電路圖案燒在晶圓上，NIL技術(shù)則是可像印章一樣、直接將圖案壓印在晶圓上，因可一次性就形成電路，縮短制程時間、更省電。Canon在10年前就和日本光罩廠大日本印刷、鎧俠（當(dāng)時為東芝）攜手研發(fā)NIL技術(shù)。日本政府自7月起加強高性能芯片制造設(shè)備的出口管制，而關(guān)于Canon的NIL設(shè)備是否在管制對象內(nèi)，Canon避談、僅表示會遵照法規(guī)規(guī)范來執(zhí)行。

受此消息影響，上周五收盤ASML重挫2.71%，收599.75美元。

值得注意的是，中國股票市場也受到了此消息影響，納米壓印概念股上周五午后走高，匯創(chuàng)達午后開盤拉升漲超11%，美迪凱、晶方科技、利和興、蘇大維格等紛紛大幅拉升。

截止今天上午收盤美迪凱、蘇大維格繼續(xù)維持大幅上漲勢頭。

佳能新聞稿如下（自動翻譯）：

2023年10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行最重要的半導(dǎo)體制造工藝——電路圖案轉(zhuǎn)移。

佳能除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)之外，還通過將采用納米壓印光刻（NIL）技術(shù)的半導(dǎo)體制造設(shè)備推向市場，佳能正在擴大其半導(dǎo)體制造設(shè)備陣容，涵蓋從最先進的半導(dǎo)體設(shè)備到最廣泛的用戶需求。

傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上來轉(zhuǎn)移電路圖案，而新產(chǎn)品則通過將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓上的抗蝕劑上，就像印章一樣來實現(xiàn)這一點。由于其電路圖案轉(zhuǎn)移過程不通過光學(xué)機制，因此掩模上的精細電路圖案可以忠實地再現(xiàn)在晶圓上。因此，可以在單個壓印件中形成復(fù)雜的二維或三維電路圖案，這可以降低擁有成本(CoO)。

佳能的 NIL 技術(shù)可實現(xiàn)最小線寬 14 nm 的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進的邏輯半導(dǎo)體所需的5 納米節(jié)點

此外，隨著掩模技術(shù)的進一步改進，NIL有望實現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當(dāng)于2nm節(jié)點。

新產(chǎn)品采用了新開發(fā)的環(huán)境控制技術(shù)，可抑制設(shè)備內(nèi)細顆粒的污染。

實現(xiàn)了半導(dǎo)體層數(shù)增加所必需的高精度對準，減少了微細顆粒造成的缺陷，并可形成精細且復(fù)雜的電路，有助于制造尖端半導(dǎo)體器件。

由于新產(chǎn)品不需要用于精細電路的特殊波長光源，因此與目前最先進的邏輯半導(dǎo)體（5 納米節(jié)點，15 納米線寬）光刻設(shè)備相比，可顯著降低功耗，從而為減少二氧化碳排放量做出貢獻。

新產(chǎn)品的應(yīng)用范圍很廣，除了邏輯器件和其他半導(dǎo)體器件外，還可用于微觀結(jié)構(gòu)達數(shù)十納米的 XR 金屬透鏡。