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臺積電以不超過4.328億美元額度，取得英特爾旗下IMS事業(yè)（奧地利商艾美斯電子束科技）10%股份，預(yù)計(jì)第四季完成交易，推動(dòng)EUV（極紫外光）先進(jìn)曝光技術(shù)的創(chuàng)新。 業(yè)界持正面看法，而韓媒認(rèn)為這將加劇2納米制程的競爭狀況。

韓媒Business Korea對于臺積電這次收購感到吃驚，因?yàn)镮MS是開發(fā)EUV設(shè)備所需的多光束光罩寫入工具的領(lǐng)導(dǎo)廠商，市占率達(dá)98%; 該公司生產(chǎn)的多光束光罩寫入工具能更精確、快速地刻制光罩，有效改變半導(dǎo)體業(yè)的游戲規(guī)則。

業(yè)界人士甚至認(rèn)為，如果沒有IMS設(shè)備，ASML的EUV光刻機(jī)恐毫無用處，而臺積電與英特爾合作似乎是期待ASML下一代High-NA EUV微影曝光設(shè)備。 隨著曝光設(shè)備在7納米以下制程的重要性不斷增加，臺積電打算深化現(xiàn)有的技術(shù)合作。

天風(fēng)國際證券分析師郭明錤則認(rèn)為，臺積電Arm與IMS這兩筆投資主要目的為提高垂直整合能力，確保從目前3納米的FinFET技術(shù)能順利轉(zhuǎn)換到2納米的GAA技術(shù)。 其中，投資IMS則可確保關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)開發(fā)與供應(yīng)能滿足2納米商用化的需求。

英特爾2009年投資IMS，2016年收購剩余股份，今年6月則釋出20%股份給貝恩資本（Bain Capital）。

至于緊追在臺積電身后的三星，曾于2012年以7,000億韓圜收購ASML 3%股份，以合作未來的曝光機(jī)開發(fā); 但到2016年，三星以收回投資為由出售一半ASML股份，截至今年第二季末，三星僅保留0.7%股份。

但盡管如此，產(chǎn)業(yè)專家認(rèn)為三星和ASML的合作關(guān)系仍相當(dāng)牢固，據(jù)了解，三星正準(zhǔn)備確保下一代EUV微影曝光設(shè)備High-NA的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)這款設(shè)備將于今年晚時(shí)推出原型，明年正式供貨。

報(bào)導(dǎo)預(yù)計(jì)，SK 海力士、臺積電和英特爾都將加入下代曝光設(shè)備的競爭; 另一方面，2納米制程競爭也不斷升級。 臺積電去年宣布已準(zhǔn)備試產(chǎn)2納米產(chǎn)品，以維持領(lǐng)先地位，三星則計(jì)劃利用GAAFET技術(shù)來彎道超車，隨著英特爾和Raapidus也加入2納米戰(zhàn)局，先進(jìn)制程競爭將更加激烈。