東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝
2023-09-01 11:19:28 EETOP東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量出貨。
新產品是東芝碳化硅MOSFET產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品，其封裝支持柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內源極線電感的影響，從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。
使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網發布。
東芝將繼續擴大自身產品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
使用SiC MOSFET的3相逆變器
簡易方框圖
? 應用：
- 開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源（UPS）
? 特性：
- 4引腳TO-247-4L(X)封裝：
柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關損耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
? 主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）
注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，東芝測量值（測量條件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
