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三星分享 2nm 1.4nm 以及 5nm射頻計劃

2023-06-29 12:50:01 EETOP
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三星2023年年度三星代工論壇 (SFF) 公布了更新的制造技術路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米和 1.4納米級節(jié)點上生產(chǎn)芯片。此外,該公司還計劃在未來幾年增加領先的 5 納米級射頻制造工藝并開始生產(chǎn) GaN 芯片

SF3(第二代 3nm 級)相比(在相同晶體管數(shù)量下),三星預計其 SF2(2nm 級)制造技術可將功率效率提高 25%(在相同頻率和晶體管數(shù)量下),將性能提高 12%(在相同功率和復雜性下),并將面積減少 5%該公司 。該公司將于 2025 年開始在 2nm 節(jié)點上制造移動 SoC,并于 2026 年跟進 HPC 增強型 SF2P 節(jié)點同時,SF1.4(1.4nm級)制造工藝預計將于2027年提供給三星客戶。

為了使其 SF2 節(jié)點更具競爭力,三星打算確保其客戶很快就能獲得一系列高質(zhì)量的 SF2 IP,包括 LPDDR5xHBM3PPCIe Gen6  112G SerDes 等接口。

圖片

除了為智能手機、客戶端 PC 和數(shù)據(jù)中心 SoC 提供領先技術外,三星還計劃在未來幾年提供專門的制造工藝。其中包括 2027 年為汽車應用量身定制的 SF2A,以及 2025 年的 5nm 射頻 (RF節(jié)點。與當前一代 14nm RF 工藝相比,即將推出的 5nm RF 預計將功率效率提高 40%,并將晶體管密度提高約 50% 

三星還計劃于 2025 年開始生產(chǎn)氮化鎵 (GaN) 功率半導體。這些芯片將面向各種應用,從消費電子產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心和汽車行業(yè)。 

三星代工廠不僅專注于擴大其技術組合,還致力于增強其在美國和韓國的制造能力。該公司計劃于 2023 年下半年在平澤 3 號生產(chǎn)線(P3)開始大批量生產(chǎn)芯片。至于位于德克薩斯州泰勒的工廠,預計將于今年年底完成建設,其預計將于 2024 年下半年開始運營。 

作為其宏偉目標的一部分,三星計劃到 2027 年將其潔凈室總產(chǎn)能提高 7.3 倍,與 2021 年擁有的產(chǎn)能相比大幅增長。


關鍵詞: 三星 芯片 半導體

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