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臺(tái)積電3DFabric先進(jìn)封裝技術(shù)最新進(jìn)展

2023-06-18 12:00:43 EETOP

點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶(hù)名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元

6月8日臺(tái)積電宣布開(kāi)設(shè)一家先進(jìn)的封裝測(cè)試工廠Fab 6，以擴(kuò)展臺(tái)積電 3DFabric系統(tǒng)集成技術(shù)。這是一個(gè)重要的公告，因?yàn)榕c英特爾和三星的芯片封裝軍備競(jìng)賽正在升溫。

Fab 6 是臺(tái)積電首個(gè)一體式先進(jìn)封裝測(cè)試工廠，是臺(tái)積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺(tái)積電 SoIC 封裝技術(shù)。請(qǐng)記住，當(dāng)臺(tái)積電說(shuō)量產(chǎn)時(shí)，他們指的是 Apple iPhone 尺寸的量產(chǎn)，而不是工程樣品或內(nèi)部產(chǎn)品。

如今，封裝是半導(dǎo)體代工產(chǎn)品的重要組成部分。它不僅是芯片級(jí)產(chǎn)品的差異化因素，還將代工客戶(hù)的忠誠(chéng)度提升到一個(gè)全新的水平。這將是至關(guān)重要的，因?yàn)樾?a href="http://www.xebio.com.cn/semi" target="_blank" class="keylink">芯片革命已經(jīng)站穩(wěn)腳跟，使客戶(hù)更容易獨(dú)立于代工廠。然而，Chiplet 封裝非常復(fù)雜，并且將因代工廠而異，這就是臺(tái)積電、英特爾和三星花費(fèi)如此多的資本支出來(lái)確保其在封裝業(yè)務(wù)中居于領(lǐng)先地位的原因。

TSMC 3DFabric 是 3D 硅堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)的綜合系列：

TSMC 3DFabric包含多種先進(jìn)的 3D 硅堆疊和先進(jìn)的封裝技術(shù)，可支持范圍廣泛的下一代產(chǎn)品：

在 3D 硅堆疊部分，臺(tái)積電正在 TSMC-SoIC? 系列中添加基于微凸點(diǎn)的 SoIC-P，以支持更多對(duì)成本敏感的應(yīng)用。
2.5D CoWoS? 平臺(tái)可為人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)據(jù)中心等 HPC 應(yīng)用集成高級(jí)邏輯和高帶寬內(nèi)存。InFO PoP 和 InFO-3D 支持移動(dòng)應(yīng)用，InFO-2.5D 支持 HPC chiplet 集成。
SoIC 堆疊芯片可以集成到 InFO 或 CoWoS 封裝中，以實(shí)現(xiàn)最終系統(tǒng)集成。

CoWoS家族

主要針對(duì)需要集成高級(jí)邏輯和 HBM 的 HPC 應(yīng)用程序。
TSMC 已支持來(lái)自超過(guò)25 個(gè)領(lǐng)域的140 多種CoWoS 產(chǎn)品
所有 CoWoS 解決方案的中介層尺寸都在增加，因此它們可以集成更先進(jìn)的硅芯片和 HBM 堆棧，以滿(mǎn)足更高的性能要求。
臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)一種 CoWoS 解決方案，該解決方案具有高達(dá) 6 倍光罩尺寸（約 5,000 平方毫米）的 RDL 中介層，能夠容納 12 個(gè) HBM 存儲(chǔ)器堆棧。

InFO技術(shù)

對(duì)于移動(dòng)應(yīng)用，自 2016 年以來(lái)，InFO PoP 一直在為高端移動(dòng)設(shè)備量產(chǎn)，并且可以在更小的封裝尺寸中容納更大、更厚的 SoC 芯片。
對(duì)于 HPC 應(yīng)用，無(wú)基板 InFO_M 支持高達(dá) 500 平方毫米的小芯片集成，適用于對(duì)外形尺寸敏感的應(yīng)用。

3D硅堆疊技術(shù)

SoIC-P 基于 18-25μm 間距 μbump 堆疊，適用于對(duì)成本更敏感的應(yīng)用，如移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、客戶(hù)端等。
SoIC-X 基于無(wú)擾動(dòng)堆疊，主要針對(duì) HPC 應(yīng)用。其晶圓上芯片堆疊方案具有 4.5 至 9μm 鍵距，并已在 TSMC 用于 HPC 應(yīng)用的 N7 技術(shù)上量產(chǎn)。
SoIC 堆疊芯片可以進(jìn)一步集成到 CoWoS、InFo 或傳統(tǒng)的倒裝芯片封裝中，用于客戶(hù)的最終產(chǎn)品。

臺(tái)積電表示：“小芯片堆疊是提高芯片性能和成本效益的關(guān)鍵技術(shù)。為響應(yīng)市場(chǎng)對(duì) 3D IC 的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電已完成先進(jìn)封裝和硅堆疊技術(shù)產(chǎn)能的早期部署，并通過(guò) 3DFabricTM 平臺(tái)提供技術(shù)領(lǐng)先地位服務(wù)、質(zhì)量和可靠性。憑借滿(mǎn)足客戶(hù)需求的產(chǎn)能，臺(tái)積電將共同釋放創(chuàng)新，成為客戶(hù)長(zhǎng)期信賴(lài)的重要合作伙伴。”

臺(tái)積電以客戶(hù)為中心的文化將成為小芯片封裝革命的重要組成部分。通過(guò)與數(shù)百家客戶(hù)合作，可以肯定臺(tái)積電將為全球無(wú)晶圓廠和系統(tǒng)公司提供最全面的 IC 封裝解決方案。

關(guān)鍵詞：臺(tái)積電 3DFabric 小芯片