三星半導體宣布：4年超越英偉達、5年擊敗臺積電！
2023-05-05 08:07:02 EETOP
根據韓國媒體報道，三星半導體4日在KAIST（韓國科學技術院）舉行了一場演講上，三星設備解決方案部門總裁慶桂顯（Kye hyun Kyung）提出了5年內三星晶圓代工在先進制程方面，將超越競爭對手臺臺積電的未來愿景。
根據韓國經濟日報報道，Kye Hyun Kyung承認當前三星的晶圓代工技術落后于臺積電。他表示，三星的4納米技術較臺積電落后大約兩年，而其3納米技術則較臺積電落后大約一年。不過，等到2納米技術之際就會發生變化。他還進一步的大膽預測，三星可以在5年內超越臺積電。
三星指出，相較于臺積電仍采用的FinFET技術，三星GAA制程技術能生產出比臺積電面積減少45%、運算效能增加45%，能耗提升達50%的芯片。Kye Hyun Kyung指出，當前客戶對三星電子的3納米GAA制程技術的反映很好。
Kye Hyun Kyung 進一步強調，三星也在努力開發半導體的先進封裝技術，以保持領先于競爭對手。他解釋，隨著半導體制成微縮變得越來越困難，性能最終將通過先進封裝來提升。因此，三星在2022年成立了一個先進封裝開發團隊，公司預計在3到4年內會有顯著技術發展。而且，在不久的將來，存儲器在人工智能（AI）服務器中的重要性將超過英偉達GPU的重要性。因此，預計到2028年，我們將使發布以存儲器為中心的超級計算機。
事實上，先前有報道指稱，三星表示近期旗下的4納米制程良率已獲得了改善、接近5納米制程的水平，而下一代的4納米制程將提供更高的良率。也因為4納米制程良率獲得改善情況下，在當前臺積電4納米產能吃緊時，傳出處理器大廠AMD將部分4納米制程處理器訂單交由三星生產的消息。另外，Google 也將委托三星生產其Pixel 8 智能手機使用的Tensor 3 處理器，預計采用三星的第三代4納米節點制程。
