據(jù)韓媒報道，三星電子(Samsung Electronics Co.)降低DRAM成本的速度變慢，可能是公司決定減產(chǎn)的主因。韓國媒體The Elec 14日報道，消息顯示，三星導(dǎo)入更先進(jìn)制程以降低DRAM成本的速度趨緩，恐怕是該公司不得不跟進(jìn)美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)減產(chǎn)的原因。倘若引入先進(jìn)制程、降低成本的速度能快一些，三星或許就不必減產(chǎn)，還可趁著產(chǎn)業(yè)景氣衰退之際擴(kuò)大市占。
據(jù)報道，三星搶在對手之前采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，可能也是重創(chuàng)利潤的原因。EUV制程昂貴，目前還無法發(fā)揮最大潛能。不過，三星提早采用EUV，未來提升生產(chǎn)力的速率也會比對手快。對于10納米范圍的DRAM，存儲器廠商一般不會揭露精確節(jié)點，而是稱之為1x (第一代)、1y (第二代)、1z (第三代)納米。其中，1z大約介于13~11納米。業(yè)者也于最近發(fā)表第四代的1a納米。根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，去(2022)年第四季美光的1a納米DRAM市占率為45.9%、SK海力士為20.8%、三星為5.7%。同期間內(nèi)，1z納米DRAM市占排名則依序為三星(46.1%)、SK海力士(32.3%)、美光(29.9%)。美光制造的1a DRAM比競爭對手多，主因該公司并未采用EUV、而是使用多重圖案化(multiple patterning；MP)技術(shù)。美光預(yù)定2024年才會在1c納米使用EUV。The Elec引述消息人士指出，三星過去都能搶在對手前克服挑戰(zhàn)、維系領(lǐng)導(dǎo)地位，如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死，這些其實都是「借口」。部分內(nèi)部人甚至說，過去五年三星在研發(fā)新技術(shù)方面有點懈怠；該公司剛開始制造雙棧(double-stack) NAND型快閃存儲器(V7)時也遇到困難。三星電子4月7日發(fā)表2023年第一季初步財報時曾宣布大幅削減存儲器產(chǎn)量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢采購。SK海力士副董事長Park Jung-ho 3月29日在股東大會上宣布下砍營業(yè)支出計畫，為十年以來頭一遭。他說，該公司過去曾積極投資擴(kuò)產(chǎn)，但現(xiàn)在準(zhǔn)備以更具彈性的方式調(diào)整產(chǎn)能策略。他表示，「我們?nèi)ツ甑馁Y本支出多達(dá)19兆韓圜(相當(dāng)于146億美元)，今年準(zhǔn)備刪減一半以上。」Park以囚徒困境(prisoner's dilemma，指個人的選擇不符團(tuán)體最佳利益)來形容DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)衰退的現(xiàn)象。他說，「即便我們一再重申不跟進(jìn)，客戶參與賽局的方式依舊猶如囚徒困境。每當(dāng)產(chǎn)業(yè)景氣下滑，過剩的晶片供給終將導(dǎo)致價格跌勢惡化。」
