據韓媒報道，三星電子(Samsung Electronics Co.)降低DRAM成本的速度變慢，可能是公司決定減產的主因。韓國媒體The Elec 14日報道，消息顯示，三星導入更先進制程以降低DRAM成本的速度趨緩，恐怕是該公司不得不跟進美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)減產的原因。倘若引入先進制程、降低成本的速度能快一些，三星或許就不必減產，還可趁著產業景氣衰退之際擴大市占。
據報道，三星搶在對手之前采用極紫外光(EUV)微影設備，可能也是重創利潤的原因。EUV制程昂貴，目前還無法發揮最大潛能。不過，三星提早采用EUV，未來提升生產力的速率也會比對手快。對于10納米范圍的DRAM，存儲器廠商一般不會揭露精確節點，而是稱之為1x (第一代)、1y (第二代)、1z (第三代)納米。其中，1z大約介于13~11納米。業者也于最近發表第四代的1a納米。根據集邦科技統計，去(2022)年第四季美光的1a納米DRAM市占率為45.9%、SK海力士為20.8%、三星為5.7%。同期間內，1z納米DRAM市占排名則依序為三星(46.1%)、SK海力士(32.3%)、美光(29.9%)。美光制造的1a DRAM比競爭對手多，主因該公司并未采用EUV、而是使用多重圖案化(multiple patterning；MP)技術。美光預定2024年才會在1c納米使用EUV。The Elec引述消息人士指出，三星過去都能搶在對手前克服挑戰、維系領導地位，如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死，這些其實都是「借口」。部分內部人甚至說，過去五年三星在研發新技術方面有點懈?。辉摴緞傞_始制造雙棧(double-stack) NAND型快閃存儲器(V7)時也遇到困難。三星電子4月7日發表2023年第一季初步財報時曾宣布大幅削減存儲器產量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢采購。SK海力士副董事長Park Jung-ho 3月29日在股東大會上宣布下砍營業支出計畫，為十年以來頭一遭。他說，該公司過去曾積極投資擴產，但現在準備以更具彈性的方式調整產能策略。他表示，「我們去年的資本支出多達19兆韓圜(相當于146億美元)，今年準備刪減一半以上。」Park以囚徒困境(prisoner's dilemma，指個人的選擇不符團體最佳利益)來形容DRAM產業持續衰退的現象。他說，「即便我們一再重申不跟進，客戶參與賽局的方式依舊猶如囚徒困境。每當產業景氣下滑，過剩的晶片供給終將導致價格跌勢惡化?！?/span>
