碳基芯片將成未來主流，半導體材料及電子器件測試是研究基礎
2022-09-07 11:55:23 泰克要是因為碳納米管的極限尺寸和當前的硅基材料大致相同，制作工藝改變不大。此外，碳基芯片比硅基芯片具有更優的性能和更低的功耗以及更高的工作頻率(電子遷移率 100000 cm２／V.S vs 1000cm２／V.S，頻率100GHz Vs 10GHz）。
我國在碳基芯片研究領域處于世界領先地位，北京大學彭練矛院士課題組一直站在碳基芯片領域的前沿。盡管碳基芯片目前與傳統硅基芯片相比還有明顯差距（1.4萬晶體管 vs 億級集成度），但彭院士認為15年后碳芯片技術有望成為主流芯片技術，我國將在芯片領域將實現彎道超車。
碳基半導體納米材料測試的目的在于篩選材料及材料的分子結構改良，特別是對碳基芯片，由于在制備碳納米管時，卷曲直徑和角度的細微差別，都會影響到碳納米管的導電性，即有可能得到金屬特性的成品，而得到整齊劃一的具有半導體特性的碳納米管，是碳基芯片研究的首要條件。
對一維材料，以I-V 特性測試為主。由于納米材料尺寸極小，因此其所能承受的測試電流超小（達 fA 級），測試電壓超低（達 nV 級），并且極易因為測試造成的自熱而燒毀被測材料，因此必須選擇與被測納米材料性能相適應的，具有脈沖特性的測試儀器。
對二維材料及石墨烯，電阻率、載流子濃度、載流子遷移率測試是重要的測試項目，需要用四探針及范德堡法進行測試。
對碳基電子器件及碳基芯片，主要測試 I-V 特性，通過改變碳納米管的數量、位置和器件結構，進行測試對比，選擇最優的方案。
碳基半導體材料及電子器件種類多，電性能各不相同，需選擇最佳匹配的 SMU 進行測試。4200半導體參數測試儀可以覆蓋全部應用，具體測試方案詳如下。
