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近日，美國參議院已經通過了《美國芯片法案》 ，這個用于半導體生產補貼的法案，很可能只需要幾天時間就能在眾議院通過并由總統(tǒng)簽署成為法律，這將為芯片制造商在美建廠打開大門。

雖然所有建造新晶圓廠的芯片生產商都有資格獲得它們，但他們必須滿足某些條件。 

從 《美國芯片法案》的文本中可以看出（EETOP公眾號后臺回復“芯片法”獲取《美國芯片法案》章節(jié)摘要），獲得聯邦激勵資金的公司被禁止在對美國構成國家安全威脅的特定國家擴大或建立某些先進半導體的新制造能力。  

雖然該法案沒有澄清它提到的制造節(jié)點以及具體國家，但是美國情報部門認為有四個國家對國家安全構成威脅：中國、伊朗、朝鮮和俄羅斯。不過我們知道沒有一家跨國芯片制造商會在伊朗、朝鮮或俄羅斯擁有或新建晶圓廠，所以顯然芯片法案所指的所謂構成國家安全的特定國家就是指中國大陸。立法者不希望芯片基金的接受者在中國擴大或建立新的半導體制造能力。

至于確切的節(jié)點，考慮到美國商務部正在研究禁止讓中芯國際獲得生產基于Finfet的14納米級節(jié)點芯片生產設備的可能性，外媒推測，14納米/16納米及更新的技術被認為是先進的。

目前，GlobalFoundries、英特爾、三星代工、臺積電和德州儀器要么在美國建立新的晶圓廠，要么正在擴大現有產能，只要符合要求，他們都有資格獲得聯邦政府的財政補貼和激勵措施。美光去年表示，它正在考慮在美國建立新的研發(fā)設施，并可能在美國建造一座晶圓廠，作為其未來十年 1500 億美元研發(fā)和資本支出計劃的一部分。

外媒指出有兩家公司正在美國建立新的半導體制造設施，并恰好在中國擁有晶圓廠，這兩家臺積電和三星。 

上個月，臺積電披露了在中國江蘇省南京市擴建 Fab 14 的計劃。臺積電的 Fab 14 使用臺積電的 N28 和各種 N28 衍生的特殊制造工藝生產芯片，但目前尚不清楚該法案是否將 28nm 級節(jié)點視為“先進”。  如果視為先進的話那么按照美國芯片法案規(guī)定的話，臺積電在美國建廠的話就無法獲得補貼。除非停止在中國的擴建計劃。

三星半導體在西安生產 3D NAND 和 DRAM 內存，并根據需求不斷審查其在中國工廠使用的產能和節(jié)點。三星尚未宣布對其西安工廠進行任何重大擴建，但為了保持競爭力，它必須采用新的制造工藝，而采用新工藝可能會影響工廠的生產力。另外，美國國會議員們是否認為DRAM和NAND技術是先進的，是否認為采用新節(jié)點是擴展也是未知數。所以三星能否獲得芯片補貼也存在變數。