終于學聰明了！英特爾大改工藝命名：7nm改Intel 4, Intel 20A開啟埃米時代！
2021-07-27 11:36:40 EETOP英特爾路線圖：
從上面的技術路線圖，我們發現英特爾采用了其最新的節點命名。
英特爾10納米 "等同于 "臺積電7納米 "已經不是什么秘密了，盡管這些數字實際上與物理實現沒有關系，但在英特爾已經有一段時間了。很多業界人士，無論出于什么原因，還沒有意識到這些數字實際上不是一個物理測量。它們曾經是，但是當我們從二維平面晶體管轉移到三維FinFET晶體管時，這些數字就變成了一個營銷工具而已。盡管如此，每次有關于該技術的文章，人們都會感到困惑
為此，英特爾正在重新命名其未來的工藝節點。接下來我們將逐條分解。
2020, Intel 10nm SuperFin (10SF):
目前這一代技術用于Tiger Lake和英特爾的Xe-LP獨立圖形解決方案（SG1，DG1）。名稱保持不變。
2021 下半年, Intel 7:
以前被稱為10納米增強型超級鰭片或10ESF。Alder Lake和Sapphire Rapids現在將被稱為Intel 7產品，由于晶體管的優化，展示了比10SF每瓦10-15％的性能提升。Alder Lake目前正在進行批量生產。英特爾的Xe-HP現在將被稱為英特爾7產品。
2022 下半年, Intel 4:
以前被稱為英特爾7納米。英特爾今年早些時候表示，其Meteor Lake處理器將使用基于該工藝節點技術，目前該硅片已回到實驗室接受測試。英特爾預計每瓦性能比上一代產品提高20%，該技術使用更多的EUV，主要是在BEOL。英特爾的下一個至強可擴展產品Granite Rapids也將使用基于英特爾4。
2023 下半年, Intel 3:
增加使用EUV和新的高密度庫。這是英特爾的戰略變得更加模塊化的地方-- Intel 3將共享Intel 4的一些特性，但新的特性足以說明這是一個新的完整節點，特別是新的高性能庫。盡管如此，預計會有一個快速的后續發展。在EUV使用方面的另一個步驟，英特爾預計在2023年下半年進行制造升級，每瓦特性能比Intel 4增加18%。
2024, Intel 20A:
轉向兩位數的命名，A代表Ångström(埃米)，或10A等于1納米。細節不多，但這是英特爾將從FinFETs轉向其稱為RibbonFETs的Gate-All-Around（GAA）晶體管版本。另外，英特爾將首次推出一種新的PowerVia技術。
2025, Intel 18A:
英特爾預計在2025年擁有18A工藝。18A將使用ASML最新的EUV機器，被稱為High-NA機器，它能夠進行更精確的光刻。英特爾表示，當涉及到High-NA時，它是ASML的主要合作伙伴，并將收到第一個High-NA機器的生產模型。
英特爾已經確認，Intel 3和Intel 20A將提供給代工客戶(但沒有說明是否Intel 4或Intel 7)。
匯總:
這里的一個問題是流程節點準備就緒、為產品發布啟動生產和實際可用之間的區別。例如，AlderLake(最新工藝命名位Intel 7)將于今年推出，但Sapphire Rapids將更傾向于在2022年推出。類似地，有報道稱Intel 7的Raptor Lake將于2022年問世，以取代Alder Lake，而Intel 4的Meteor Lake將于2023年推出。
為什么要重命名節點？
如前所述，重新命名節點的一個因素是為了與其他晶圓廠的產品相匹配。英特爾的競爭對手臺積電和三星都在使用較小的數字來比較類似的密度工藝。隨著英特爾現在重新命名自己，它變得與行業更加一致。也就是說，也許是偷偷摸摸的，Intel 4制程可能與臺積電的5nm制程不相上下。
