根據圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅動器一起使用。 NCP51561 是隔離型雙通道門極驅動器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區時間。一個使能引腳將同時關斷兩個輸出，且 NCP51561 提供其他重要的保護功能，如用于兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。
安森美半導體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET，它們比硅 MOSFET 提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg)，以在更小的系統尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。 安森美半導體已發布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并將繼續猛增該產品系列。 此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產品組合。
