猜猜看哪一個是EUV曝光圖？世界首款EUV DRAM顯微拆解
2021-04-21 12:33:00 未知經過幾個月的等待，終于看到了三星電子采用極紫外光刻（EUV）技術的D1z DRAM的量產！
去年年初，三星電子宣布全球首次開發出基于ArF-i的D1z DRAM，并分別發布了應用EUV光刻技術（EUVL）的D1z DRAM。
現在我們終于找到了三星新的先進的D1z DRAM設備，并確認了這項技術的細節。
三星電子已經開發出了具有更高性能的基于EUV工藝的D1z 8GB DDR4、D1z 12GB LPDDR5和16GB LPDDR5 DRAM。我們在三星Galaxy S21 5G系列中找到了后兩種芯片（D1z 12GB和D1z 16GB LPDDR5）。
三星Galaxy S21 Ultra 5G SM-G998B / DS 12GBRAM使用的是12個GG LPDDR5芯片，而S21 5G和S21 + 5G 8 GB的RAM組件中可以使用16 Gb LPDDR5芯片。
說到D1z技術節點，三星D1z 12 GB LPDDR5 DRAM的生產生產效率比之前的D1y 12 GB版本高出15％以上。設計規則（D / R）從17.1 nm（在以前的D1y）降低到15.7 nm（D1z）。裸片尺寸也從53.53 mm 2（D1y）減小到43.98 mm 2（D1z）；新款芯片的裸片尺寸比以前的版本縮小了約18％（表1）。
比較8 GB、12 GB和16 GB的Samsung D1y和D1z LPDDR5芯片
表1
三星電子將其最先進的D1z技術與EUV光刻技術一起用在12GB芯片上，芯片標記為K4L2E165YC，而標記為K4L6E165YB的D1z 16GB LPDDR5 DRAM并未采用EUV光刻技術。三星最初開發D1z LPDDR5產品時可能同時采用了基于ArF-i和基于EUV的存儲節點SNLP/BLP光刻技術，而現在它生產的所有D1z LPDDR5產品都采用了EUV SNLP/BLP光刻技術。
對于D1z 12Gb LPDDR5器件的DRAM工藝集成，三星采用了EUV光刻技術，該技術只限于一個掩模，即Storage Node Landing Pad (SNLP on callarray)/Bit Line Pad (BLP on S/A)，其尺寸約為40納米關鍵尺寸（CD或間距）和S/A區域的13.5納米BLP線寬。
圖1 (a,b)顯示了采用ArF-i光刻的 D1z 16 GB LPDDR5 以及采用EUV光刻的D1z 12 Gb LPDDR5裸片上的S/A BLP圖案比較。可以看到通過使用EUV光刻技術帶來了更精細的圖案，S/A區域的BLP線邊緣粗糙度（LER）得到了改善，橋接/短板缺陷可能會減少。
圖1
大家可以猜測看，圖1中哪一幅是EUV曝光圖案？
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很明顯，右圖是EUV加工后的圖案
你猜對了么？
美光D1z LPDDR4與三星D1z LPDDR5比較
通過上表，可以看出相較于競爭對手美光D1z單元設計，三星進一步減小單元尺寸（三星是0.00197微米2與美光在0.00204微米2）和d / R（三星為15.7納米與美光為15.9納米）。美光在D1z產品的所有光掩模步驟中均使用基于ArF-i的光刻技術，并且暫時不會采用EUV光刻技術，包括D1α和D1β。（表2）
三星DRAM單元尺寸趨勢，從D3x到D1z
圖2
三星DRAM單元大小和D / R趨勢分別如圖2和圖3所示，包括D3x至D1z。DRAM單元尺寸和D / R縮放最近變得越來越難，但是三星將D1z的D / R減小到15.7 nm，比D1y縮小了8.2％。
三星DRAM單元的D / R趨勢，從D3x到D1z
圖3
三星將繼續為下一代DRAM增加EUVL步驟，如D1a（2021年）和D1b（2022年）。
