三星1z納米EUV LPDDR5工藝規格曝光
2021-02-20 11:38:38 EETOP經過幾個月的等待，我們終于看到三星電子將極紫外(EUV)光刻技術應用于D1z DRAM的大規模量產。這是對他們的DRAM內存技術的重大變革，這種技術出現在他們最新的手機型號中，包括三星Galaxy S21 5G系列;S21 5G、S21+ 5G以及于2021年1月剛剛發布的S21 Ultra 5G。EUV光刻技術在規模化和加速生產以及性能產量方面顯示出了明顯優勢。
我們在三星GalaxyS21 5G系列中找到了D1z 12 Gb和D1z 16Gb LPDDR5芯片。S21 5G，S21 + 5G和S21 Ultra 5G剛剛于2021年1月發布。12 Gb LPDDR5芯片用于Samsung Galaxy S21 Ultra 5G SM-G998B / DS 12GB RAM，而16 Gb LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB DRAM存儲器組件。
與先前的D1y 12 Gb版本相比，三星D1z 12 Gb LPDDR5 DRAM中使用的極紫外（EUV）光刻工藝已證明其生產效率提高了15％。D / R（設計規則）從17.1 nm（D1y）減小到15.7 nm（D1z）。12 Gb裸片尺寸也從53.53 mm 2（D1y）減小到43.98 mm 2（D1z），從而使裸片尺寸更小，比以前的版本縮小了約18％。
三星D1y和D1z LPDDR5芯片8Gb、12Gb、16Gb DRAM規格比較
三星將其最先進的D1z技術與EUV光刻技術一起使用在12Gb裸片上，裸片標記為K4L2E165YC。而采用DUV光刻技術的D1z 16Gb LPDDR5 DRAM裸片則標記為K4L6E165YB。D1z LPDDR5產品最初采用ArF-I(氬氟激光浸泡)和EUV(極紫外光)光刻技術。現在，他們采用EUV SNLP（存儲節點焊盤）和BLP（位線焊盤）光刻技術生產所有D1z LPDDR5產品。
美光D1z LPDDR4與三星D1z LPDDR5規格比較
制造商追求的競爭指標是更高的位密度、更小的管芯尺寸、先進的技術節點。通過與EUV一起使用D1z技術節點，與下表中所示的業界同行美光相比，三星已達到領先指標：
D1z DRAM 美光vs三星
*與美光D1z單元設計相比，三星進一步縮小了單元尺寸（三星0.00197 µ㎡與美光0.00204 µ㎡）和D/R（三星15.7 nm與美光15.9nm）。
