臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產
2020-11-17 09:19:59 快科技
2nm工藝上，臺積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場效應晶體管)，甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)，也就是納米線(nanowire)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。
從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。
當然，新工藝的成本越發會成為天文數字，三星已經在5nm工藝研發上已經投入了大約4.8億美元，3nm GAAFET上會大大超過5億美元。
臺積電很少披露具體工藝節點上的投入數字，但是大家可以放開去想象了……
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