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三星計劃 2021 年建成第三所綜合性半導體工廠

2020-06-23 14:09:46 未知
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據韓國媒體ETNEWS報道,三星電子計劃新建一家大型半導體工廠。鑒于面積比上一個增加了 50% 以上,因此,它采用"綜合半導體工廠"的形式,同時生產 DRAM、NAND 閃存和其他器件,并有望引入最新的工藝技術。據悉,"P3"計劃于今年9月在平澤動工,于2021年完成。

▲ 三星電子平澤工業區航空攝影 圖源三星電子官網

三星電子此前在平澤已有名為"P1"和"P2"的半導體工廠,其中“P2”于去年完工。

據業內人士21日透露,三星電子正準備在平澤建設一所更大的的半導體工廠“P3”,預計今年9月動工。目前三星電子對于該廠的建設已經做了大量前期準備。

目前三星最大的半導體工廠“P2”長度為400米,據報道“P3”的長度將達到700米。“P3”預計將在明年8月前后完成,并在生產線調試完成后試生產,從2021年底開始量產最新工藝的芯片,包括生產圖像傳感器、DRAM、NAND 和SoC處理器半導體器件。

報道稱,三星電子的目標是在2030年成為非內存半導體市場的領頭者。
 


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關鍵詞: 三星 半導體 傳感器

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