千年殇,完美世界国际版下载,遮天

領(lǐng)先臺(tái)積電，三星已開始批量生產(chǎn)6納米芯片，可能是為高通代工

2020-01-06 12:31:49 EETOP

點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元

據(jù)韓國(guó)媒體businesskorea最新消息，三星電子已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于極紫外(EUV)技術(shù)的6納米芯片。自該公司開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來，僅8個(gè)月就推出了6納米產(chǎn)品。三星升級(jí)微加工工藝技術(shù)的周期正在縮短。特別是，向6納米EUV工藝的過渡，預(yù)計(jì)將縮小三星與全球最大芯片制造商臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)之間的差距。

去年12月，三星電子(Samsung Electronics)在京畿道華城校區(qū)S3線開始批量生產(chǎn)基于EUV技術(shù)的6納米產(chǎn)品。“據(jù)我所知，6納米制程的產(chǎn)品是提供給北美的大型企業(yè)客戶的” 三星合作公司的一位官員表示。行業(yè)觀察人士認(rèn)為，三星的6納米產(chǎn)品應(yīng)該是供應(yīng)給高通公司。

此前，三星電子在去年4月向全球客戶提供了7納米產(chǎn)品。僅用了8個(gè)月就生產(chǎn)出了6納米的產(chǎn)品。與7納米產(chǎn)品相比，6納米產(chǎn)品提供了更好的半導(dǎo)體邏輯尺寸、功率和性能。

三星電子(Samsung Electronics)開始大規(guī)模生產(chǎn)6-nm制程產(chǎn)品，對(duì)臺(tái)積電構(gòu)成了壓力。全球市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，去年第四季度，臺(tái)積電占全球代工市場(chǎng)的52.7%，與三星電子(Samsung Electronics) 17.8%的市場(chǎng)份額差距進(jìn)一步擴(kuò)大。

三星未能趕超臺(tái)積電的主要原因是三星在16納米和12納米工藝之后開發(fā)7納米工藝的時(shí)間較晚。臺(tái)積電通過其7納米技術(shù)，壟斷了蘋果（最大的無晶圓廠客戶）的AP供應(yīng)。

相比之下，三星電子(Samsung Electronics)在2014年首次商業(yè)化了14納米鰭場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)工藝，但在7納米工藝開發(fā)方面輸給了臺(tái)積電(TSMC)。目前，7納米產(chǎn)品只占三星銷售額的一小部分。為了解決這個(gè)問題，星正在加緊努力以縮短 7nm以下微加工工藝的開發(fā)周期。

繼大量生產(chǎn)6納米產(chǎn)品之后，三星電子計(jì)劃在今年上半年推出5納米產(chǎn)品。此外，三星電子有在今年上半年采用正在研發(fā)中的最新3納米全柵極（GAA）工藝技術(shù)來制造尖端芯片的計(jì)劃。GAA被認(rèn)為是當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級(jí)版，能確保芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片體積。（參見：三星已攻克3nm關(guān)鍵GAA全能門技術(shù)！或?qū)⒊?a href="http://www.xebio.com.cn/semi" target="_blank" class="keylink">臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)翻盤）

免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表EETOP贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們，我們將在第一時(shí)間刪除！

關(guān)鍵詞：臺(tái)積電 6納米