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領先臺積電,三星已開始批量生產6納米芯片,可能是為高通代工

2020-01-06 12:31:49 EETOP
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據韓國媒體businesskorea最新消息,三星電子已經開始大規模生產基于極紫外(EUV)技術的6納米芯片。自該公司開始大規模生產7納米產品以來,僅8個月就推出了6納米產品。三星升級微加工工藝技術的周期正在縮短。特別是,向6納米EUV工藝的過渡,預計將縮小三星與全球最大芯片制造商臺灣臺積電(TSMC)之間的差距。

去年12月,三星電子(Samsung Electronics)在京畿道華城校區S3線開始批量生產基于EUV技術的6納米產品。“據我所知,6納米制程的產品是提供給北美的大型企業客戶的” 三星合作公司的一位官員表示。行業觀察人士認為,三星的6納米產品應該是供應給高通公司。

此前,三星電子在去年4月向全球客戶提供了7納米產品。僅用了8個月就生產出了6納米的產品。與7納米產品相比,6納米產品提供了更好的半導體邏輯尺寸、功率和性能。

三星電子(Samsung Electronics)開始大規模生產6-nm制程產品,對臺積電構成了壓力。全球市場研究公司TrendForce表示,去年第四季度,臺積電占全球代工市場的52.7%,與三星電子(Samsung Electronics) 17.8%的市場份額差距進一步擴大。

三星未能趕超臺積電的主要原因是三星在16納米和12納米工藝之后開發7納米工藝的時間較晚。臺積電通過其7納米技術,壟斷了蘋果(最大的無晶圓廠客戶)的AP供應。

相比之下,三星電子(Samsung Electronics)在2014年首次商業化了14納米鰭場效應晶體管(FinFET)工藝,但在7納米工藝開發方面輸給了臺積電(TSMC)。目前,7納米產品只占三星銷售額的一小部分。為了解決這個問題,星正在加緊努力以縮短 7nm以下微加工工藝的開發周期。

繼大量生產6納米產品之后,三星電子計劃在今年上半年推出5納米產品。此外,三星電子有在今年上半年采用正在研發中的最新3納米全柵極(GAA)工藝技術來制造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版,能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。(參見:三星已攻克3nm關鍵GAA全能門技術!或將超越臺積電實現翻盤
 


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關鍵詞: 臺積電 6納米

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