美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%
2020-01-07 09:29:24 快科技與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝，大概是12-14nm節(jié)點之間，ECC DIMM規(guī)格，頻率DDR5-4800，比現(xiàn)在的DDR4-3200內(nèi)存性能提升了87%左右，不過距離DDR5-6400還有點距離，后期還有挖掘的空間。
對DDR5內(nèi)存來說，平臺的支持才是最大的問題，目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺，AMD預(yù)計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費級的估計還要再等等。
免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表EETOP贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時聯(lián)系我們，我們將在第一時間刪除！
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
