NVIDIA Tesla V100s低調(diào)發(fā)布：全面提速 變身土豪金
2019-11-25 09:10:15 快科技Tesla V100最早發(fā)布于2017年5月份的GTC 2017圖形大會上，基于全新的Volta伏特架構(gòu)、GV100大核心，臺積電12nm工藝制造，集成210億個晶體管，面積達(dá)815平方毫米，擁有5120個CUDA核心、640個Tensor張量核心，最初基于SXM2形態(tài)(300GB/s NVLink總線)，很快又增加了PCIe形態(tài)(32GB/s PCIe總線)。
兩年多過去了，Tesla V100的地位依然無可撼動，而最新的Tesla V100S更進(jìn)一步，核心、顯存雙雙提速，但功耗卻沒變。
Tesla V100S只有PCIe擴(kuò)展卡一種形態(tài)，雙精度浮點(diǎn)性能8.2TFlops(萬億次浮點(diǎn)計(jì)算)，單精度浮點(diǎn)性能16.4TFlops，深度學(xué)習(xí)性能130TFlops，相比于PCIe、SXM2版本的Tesla V100分別提升了最多17％、5％。
顯存方面，依然采用HBM2，容量固定在32GB而不再提供16GB版本，位寬仍為4096-bit，頻率從1.75GHz加速到2.21GHz，帶寬也從900GB/s增加到1134GB/s。
不過大幅提速的同時，Tesla V100S的功耗依然維持在250W，顯然無論制造工藝還是核心架構(gòu)都更加成熟。
此外，從現(xiàn)場展示看，Tesla V100S的“肩部”底色從草綠色變成了土豪金色，很容易分辨。
免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點(diǎn)，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表EETOP贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé)。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時聯(lián)系我們，我們將在第一時間刪除！
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
