三星周二推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)層堆疊。從性能的角度來(lái)看，要使V-NAND具有超過(guò)100層的可行性，該公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。與三星的上一代V-NAND相比，新內(nèi)存的延遲降低了10％，功耗降低了15％。
新的V-NAND突破了目前3D NAND堆疊的限制，實(shí)現(xiàn)了卓越的速度和能效，還計(jì)劃從2020年開始在韓國(guó)平澤工廠擴(kuò)大第六代V-NAND生產(chǎn)，以更好地滿足全球客戶的需求。
三星第六代V-NAND是繼其推出90層以上V-NAND后僅13個(gè)月所推出的新一代V-NAND，同時(shí)三星還將批量生產(chǎn)周期縮短了4個(gè)月，以確保其在業(yè)界領(lǐng)先的性能、能效和生產(chǎn)效率。
三星基于其第六代V-NAND技術(shù)將提供高速、大容量的SSD和eUFS解決方案，目前已開始批量生產(chǎn)250GB SATA SSD，采用的是第六代（1xx層）256Gb TLC V-NAND。三星還計(jì)劃在2019下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS，用于滿足全球移動(dòng)和PC制造商的需求。
三星是利用獨(dú)特的“通道孔蝕刻”技術(shù)，新的V-NAND在之前的9x層堆疊結(jié)構(gòu)上增加了大約40%。這是通過(guò)建立一個(gè)由136層組成的導(dǎo)電模具堆，然后從上到下垂直穿透圓柱形孔，創(chuàng)建統(tǒng)一的三維電荷阱閃光（CTF）單元來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
隨著每個(gè)單元區(qū)域的模具堆疊高度的增加，NAND Flash芯片往往更容易出錯(cuò)和讀取延遲。為了克服這些限制，三星公司采用了一種優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)，使其能夠?qū)崿F(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫入操作的速度低于450微秒（μs），讀取速度低于45微秒。與上一代相比，這意味著性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。
由于這種優(yōu)化設(shè)計(jì)，三星將能夠研發(fā)出超過(guò)300層的下一代V-NAND解決方案，只需采用三個(gè)當(dāng)前的堆棧，同時(shí)不會(huì)影響芯片性能或可靠性。三星的100+層與美光128層（64層+64層）3D NAND結(jié)構(gòu)不同。
另外，三星256Gb容量的NAND Flash所需的通道孔數(shù)量已從上一代的9.3億個(gè)孔減少到6.7億個(gè)孔，從而減小芯片尺寸和減少工藝步驟，這使得生產(chǎn)效率提高了20%以上。
三星還計(jì)劃將其新的3D V-NAND應(yīng)用到新一代移動(dòng)設(shè)備和企業(yè)服務(wù)器等領(lǐng)域，還將擴(kuò)展到對(duì)高可靠性要求較高的汽車市場(chǎng)。
三星電子（Samsung Electronics）產(chǎn)品解決方案與開發(fā)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung表示：“通過(guò)將尖端的3D NAND技術(shù)引入批量生產(chǎn)，能夠及時(shí)推新的閃存產(chǎn)品系列，并顯著提高產(chǎn)品的速度和降低功耗。隨著下一代V-NAND產(chǎn)品開發(fā)周期的縮短，將幫助快速擴(kuò)展基于512GB V-NAND的高速大容量解決方案的市場(chǎng)。”
三星V-NAND批量生產(chǎn)時(shí)間表
