三星周二推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個層堆疊。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，該公司不得不使用新的電路設計技術。與三星的上一代V-NAND相比，新內存的延遲降低了10％，功耗降低了15％。
新的V-NAND突破了目前3D NAND堆疊的限制，實現了卓越的速度和能效，還計劃從2020年開始在韓國平澤工廠擴大第六代V-NAND生產，以更好地滿足全球客戶的需求。
三星第六代V-NAND是繼其推出90層以上V-NAND后僅13個月所推出的新一代V-NAND，同時三星還將批量生產周期縮短了4個月，以確保其在業界領先的性能、能效和生產效率。
三星基于其第六代V-NAND技術將提供高速、大容量的SSD和eUFS解決方案，目前已開始批量生產250GB SATA SSD，采用的是第六代（1xx層）256Gb TLC V-NAND。三星還計劃在2019下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS，用于滿足全球移動和PC制造商的需求。
三星是利用獨特的“通道孔蝕刻”技術，新的V-NAND在之前的9x層堆疊結構上增加了大約40%。這是通過建立一個由136層組成的導電模具堆，然后從上到下垂直穿透圓柱形孔，創建統一的三維電荷阱閃光（CTF）單元來實現的。
隨著每個單元區域的模具堆疊高度的增加，NAND Flash芯片往往更容易出錯和讀取延遲。為了克服這些限制，三星公司采用了一種優化的電路設計，使其能夠實現最快的數據傳輸速度，寫入操作的速度低于450微秒（μs），讀取速度低于45微秒。與上一代相比，這意味著性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。
由于這種優化設計，三星將能夠研發出超過300層的下一代V-NAND解決方案，只需采用三個當前的堆棧，同時不會影響芯片性能或可靠性。三星的100+層與美光128層（64層+64層）3D NAND結構不同。
另外，三星256Gb容量的NAND Flash所需的通道孔數量已從上一代的9.3億個孔減少到6.7億個孔，從而減小芯片尺寸和減少工藝步驟，這使得生產效率提高了20%以上。
三星還計劃將其新的3D V-NAND應用到新一代移動設備和企業服務器等領域，還將擴展到對高可靠性要求較高的汽車市場。
三星電子（Samsung Electronics）產品解決方案與開發執行副總裁Kye Hyun Kyung表示：“通過將尖端的3D NAND技術引入批量生產，能夠及時推新的閃存產品系列，并顯著提高產品的速度和降低功耗。隨著下一代V-NAND產品開發周期的縮短，將幫助快速擴展基于512GB V-NAND的高速大容量解決方案的市場。”
三星V-NAND批量生產時間表
