中國NAND Flash晶圓制造商現狀分析
2016-04-15 14:48:55 N紫 光旗下同方國芯提出私募800億元人民幣的增資案，用于Flash產業，而同方本次增資規模已接近大基金規模6成，可看出推動Flash產業是高度資本集 中。TrendForce旗下拓墣研究所相關報告將檢視中國Flash產業現狀(特別著重在Flash晶片制造業)的發展和機會。其中，小編在此為各位分 享中國主要Flash晶圓制造商的現狀。
（一）、武漢新芯
1. 產能狀況
武漢新芯為專業Foundry廠商，主要生產NOR Flash和BSI CIS等技術，12寸晶圓月產能2.2萬片；2014年NOR Flash和BSI產能規劃各為每月1萬片和1.2萬片，目前月產能配置仍維持在2.2萬片，在產品上更多Low Power Logic和NAND Flash。
2. 人力與研發支援
武漢新芯在研發團隊的創新力和執行力，得益于長期與中科院微電子研究所展開緊密的合作，在3D NAND項目，雙方採用創新合作模式，即將雙方專家在研發專案和人力資源的管理上，透過企業平臺合為一體，此模式將中科院微電子所深厚的理論背景，與武漢 新芯豐富的制造和研發經驗有機會相結合。
3. 國際合作與進展
在2014年中，武漢新芯成功將NAND技術由55nm推向32nm(與Spansion合作)，至2014年底，武漢新芯與記憶體領域的世界級研發團隊 Spansion(已併入Cypress)組建聯合研發團隊，開始3D NAND專案的研發工作。2015年5月11日武漢新芯宣布其3D NAND項目研發取得突破性進展，第一個存儲測試晶片通過記憶體功能的電學驗證，雖目前并未有相關細節流出，但此合作案目標將是在2017年量產出規格為 32層之堆疊4x nm的3D NAND。
（二）、中芯國際
中芯國際為全球第五大，也是中國第一大的晶圓制造廠商，主要是以邏輯IC的代工業務為主，雖在2013年退出武漢新芯的經營，但在Flash業務上仍未缺席。
2014年以前，中芯國際已開發出一系列從130nm到65nm特殊NOR Flash的記憶體生產平臺，2014年9月10日更是宣布38nm NAND Flash記憶體工藝制程已準備就緒。
雖然由中芯國際公開的營收資訊中可看出38nm NAND Flash自推出至今，未在營收上嶄露頭角；然而中芯表示，此技術突破，說明中芯在技術多元化方面取得重要進展，也為后續開發更先進2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發和量產奠定穩固基礎，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，但近期中國極力想突破記憶體自制缺口，此技術讓中芯在未來可能進一步強化在NAND Flash記憶體的制造能力。
（三）、紫光集團：同方國芯定增
紫光集團在此規劃項目上，不如武漢新芯或中芯國際有較完整的技術累積，所以主要是透過資本和供應鏈協同方式進行操作。
以中國內部和資金的角度而言，有機會取得領先(此次投入計劃約在180億美元，相對中芯國際2015年Capex約在15億美元和2016年預計21億美 元而言，是相當龐大)，是紫光主要優勢，但風險在沒有技術支援下，如何讓技術、量產能力能與資金同時到位，順利轉量產。
相對國際一線大廠Samsung(2015年Capex約在135億美元和2016年預計115億美元)，此2年180億美元假話，仍落后于 Samsung 2年投入，如何確保紫光相關投入能達到與一線大廠投入相同的效果，將是投資要成功的最大困難點，在無既有營運支持下，當生產能力無法順利到位，如何有資金 維繫工廠月產能12萬片的營運與研發將是問題，紫光如何突破生產技術的取得和授權，將是整個投資最關鍵的環節。
（四）、外資晶圓制造企業在中國：Samsung與Intel
1. Samsung西安Flash工廠產能拉高至每月產出10萬片
目前以Samsung在中國的投資最為領先，Samsung至2015年底投入西安廠的投資總金額已超過50億美元，產能建置來到每月8萬片，Samsung于西安佈建最先進的3D NAND Flash制程，預計2016年底將產能進一步拉升至每月10萬片。
2. Intel大連廠轉為3D NAND Flash廠
Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產線的大連廠，改建為月產能3萬片的3D NAND Flash廠，預計2016年先投入15億美元，到2016第四季開始投片生產，月產能估計達1萬片。
Samsung和Intel在中國NAND Flash的產能建置，預估至2016年第四季將達到每月11萬片，約佔全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產出納入考慮，加上中國廠商的進展，則Made in China的NAND位元數在2017年全球佔比有機會達到10%。
（五）、TRI觀點
武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項目研發取得突破性進展，是中國在NAND Flash產業進展最快的廠商。
中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，此技術仍為后續開發更先進的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發和量產奠定基礎。
紫光集團在Flash相關競爭中，資金是主要優勢，但在沒有既有營運的支持下，如何突破生產技術的取得和授權，會是整個投資最關鍵環節。
國際投資方面，Samsung和Intel在中國NAND Flash的產能建置，預估至2016年第四季將達每月11萬片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。
NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間，以及國際半導體大廠在中國的投資，則為中國發展NAND Flash制造產業提供切入機會。
