英特爾在14奈米及10奈米制程推進出現延遲，已影響到
處理器推出時程，也讓業界及市場質疑：摩爾定律是否已達極限？不過，
英特爾仍積極尋求在7奈米時代
重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光（
EUV），以及開始采用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦
（InP）等三五族
半導體材料。
摩爾定律能否持續走下去，主要關鍵在于微影技術難度愈來愈高。目前包括
英特爾、
臺積電、三星等大廠，主要
采用多重曝光（multi-patterning）的浸潤式微影（immersion
lithography）技術，但當制程技術走到10奈米世代時，高密度的邏輯IC需要進行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。
為
了解決微影曝光制程的成本問題，
半導體大廠近幾年已著手進行
EUV微影技術的研發，近一年來，
EUV技術雖然有明顯突破，但在量產上仍未達到該有的經濟規
模。不過，根據
EUV設備大廠艾司摩爾（
ASML）的說明，今年若能將每日曝光晶圓產能提高到超過1,500片，將有助于業界開始采用
EUV技術。
英
特爾已規畫在7奈米制程開始采用
EUV技術，若是可以達到量產經濟規模，則
英特爾可望在7奈米世代重新回到摩爾定律的循環。至于
臺積電部份，已計畫在7奈
米開始進行試產，若一切順利，將可在5奈米世代開始導入
EUV技術。不論
英特爾或
臺積電，
EUV量產的時間點約落在2020年左右。
半導體材料也是延續摩爾定律的重要改變。
英特爾已開始試著采用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦（InP）等三五族
半導體材料，希望能夠在7奈米之后進行材料上的改變，只要能重回摩爾定律的循環，
英特爾的
處理器發展策略就可回到二年循環的軌道。
臺積電16奈米開始采用鰭式場效電晶體（FinFET）制程，而10奈米及7奈米世將延續采用FinFET技術，而到5奈米之后，也已計畫更改
半導體材料。據了解，
臺積電很有可能會在5奈米世代采用InGaAs的三五族
半導體材料，來維持摩爾定律的有效性。
