3 月底武漢新芯新廠破土儀式，中國(guó) NAND Flash 產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元
2016-03-22 09:20:05 technews中國(guó)內(nèi)存大廠武漢新芯新建內(nèi)存晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在 2018 年年初開始生內(nèi)存芯片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的 3D-NAND Flash 為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國(guó)極力發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下，將開始進(jìn)入新的里程碑。TrendForce 旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋觯F(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn) NOR Flash 為主，月產(chǎn)能約為 2 萬片左右，在 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。
不同于國(guó)際 NAND Flash 大廠，武漢新芯選擇與飛索半導(dǎo)體（Spansion）共同合作開發(fā) 3D-NAND Flash 技術(shù)，并在去年完成初期芯片電氣測(cè)試后，持續(xù)往更高的堆疊數(shù)邁進(jìn)，目標(biāo) 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的產(chǎn)品來切入高成長(zhǎng)性的閃存儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)，也透過盡早導(dǎo)入新技術(shù)的方式，縮短與現(xiàn)今國(guó)際 NAND Flash 大廠的差距。武漢新芯規(guī)劃的新廠產(chǎn)能為長(zhǎng)期 20 萬片，產(chǎn)能的提升比需要伴隨未來技術(shù)開發(fā)的成熟。20 萬片為長(zhǎng)期的最終計(jì)劃，非短期能達(dá)成，比較明顯的產(chǎn)出提升應(yīng)該在 5~10 年之后。
楊文得表示，英特爾大連廠自今年第四季加入生產(chǎn)行列的帶動(dòng)下，來自中國(guó)生產(chǎn)的 NAND Flash 晶圓將占全球的 8%，2017 年第三季前可超過 10%，顯示中國(guó)發(fā)展 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)的積極度也讓國(guó)際大廠加速布局角度。
目前 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)除三星量產(chǎn) 3D-NAND Flash，且已在各大 PC-OEMs 業(yè)者中獲得不錯(cuò)的市占率，第三代 3D-NAND Flash 也將完成產(chǎn)品測(cè)試階段，可望在 2016 下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開始量產(chǎn)。
其他 NAND Flash 業(yè)者也陸續(xù)加速 3D-NAND Flash 的開發(fā)，自今年下半年將可開始導(dǎo)入相關(guān)固態(tài)硬盤的需求應(yīng)用而出貨。DRAMeXchange 預(yù)估 2016 年整體 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)的 3D-NAND Flash 產(chǎn)出比重，將可快速攀升至 20%，較去年的 6% 有顯著成長(zhǎng)，可讓相關(guān)固態(tài)硬盤的普及與滲透率成長(zhǎng)更快速。
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