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在3D閃存領(lǐng)域，三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品。

萬萬沒想到的是，全球第一個48層堆疊、單Die容量256Gb的首發(fā)被東芝搶了去。

不過三星也不是吃素的，今天宣布正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。沒錯，這是第三代了。

從直觀層面來講，三星比東芝“良心”（忽視售價）表現(xiàn)在MLC顆粒以及量產(chǎn)能力上，畢竟東芝的說法是，我們已經(jīng)準(zhǔn)備好量產(chǎn)了，而三星在繼續(xù)使用現(xiàn)有設(shè)備的情況下，三代的生產(chǎn)效率還提升了40%！

與容量為128Gb的傳統(tǒng)NAND相比，三星此次量產(chǎn)的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實現(xiàn)翻倍增長。除了在單芯片上支持存儲容量高達(dá)32GB（256Gb）之外，新的芯片還能輕松地翻倍提升現(xiàn)有SSD的存儲容量，輕松TB級別，這可是三星的優(yōu)勢。
 
據(jù)悉，在新一代V-NAND閃存中，每個單元都采用相同的3D Charge Trap Flash（簡稱CTF）結(jié)構(gòu)設(shè)計，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術(shù)，通過18億個通道孔在陣列上實現(xiàn)電子互連。每個芯片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位的數(shù)據(jù)，換句話說，就是一個不超過手指尖大小的芯片能存儲256Gb數(shù)據(jù)。

與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當(dāng)存儲相同容量的數(shù)據(jù)時，一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30% 。