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日本研制出耗電減半的下一代半導體

2015-08-09 20:09:38 n
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據《日本經濟新聞》報道，日本松下電器研發出利用氮化鎵制作的半導體，電能損耗較現有同類制品降低50%。計劃于2016年實現量產。
 
      目前，氮化鎵做為半導體材料多被用于藍光二級管（LED）。控制電壓的半導體多用碳化硅制作。由于其優異的節電性能，氮化鎵被稱為替代碳化硅的“終極半導體材料”，世界各國正在加緊研制。
 
       松下率先推出氮化鎵半導體量產計劃，期待以此改變其半導體事業連年赤字的被動局面。據稱，目前已有10家日本國內外企業與之開展供貨洽談。

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