追英特爾甩三星，臺積電誓言 2016 十納米量產
2015-04-15 08:39:54 technews半導體產業的納米大戰一路打下來，從 2X 納米廝殺到 1X 納米制程，隨著英特爾、三星連格羅方德都喊出 14 納米量產，使得目前最先進制程仍在 16 納米的臺積電備感壓力，英特爾與三星日前宣示 2016 年量產 10 納米，臺積電也加緊腳步，誓言在下一代制程要搶回領先優勢。
先前臺積電才宣布 10 納米制程要在 2017 年量產，現在看來時間似乎有望稍稍提前，臺積電總經理暨共同CEO劉德音周二在加州圣荷西市參加技術論壇時表示，2016 年底量產 10 納米，且屆時產能將能滿足客戶的需求。
先前外資圈即傳出臺積電 10 納米制程技術大幅提升，Morgan Stanley 日前發布的投資報告也看好 EUV 技術，認為其有助于臺積電在 10 納米以下制程迎頭趕上英特爾。
據先前媒體報導，英特爾 10 納米技術預計 2016 年下半年量產、采用 10 納米技術的 Cannonlake 處理器于 2017 年上半年出貨，而三星今年二月已于舊金山展示移動設備用 10 納米 FinFET 半導體制程，也被認為有機會趕在英特爾之前推出 10 納米移動芯片組。
