追英特爾甩三星，臺(tái)積電誓言 2016 十納米量產(chǎn)
2015-04-15 08:39:54 technews半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的納米大戰(zhàn)一路打下來，從 2X 納米廝殺到 1X 納米制程，隨著英特爾、三星連格羅方德都喊出 14 納米量產(chǎn)，使得目前最先進(jìn)制程仍在 16 納米的臺(tái)積電備感壓力，英特爾與三星日前宣示 2016 年量產(chǎn) 10 納米，臺(tái)積電也加緊腳步，誓言在下一代制程要搶回領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
先前臺(tái)積電才宣布 10 納米制程要在 2017 年量產(chǎn)，現(xiàn)在看來時(shí)間似乎有望稍稍提前，臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同CEO劉德音周二在加州圣荷西市參加技術(shù)論壇時(shí)表示，2016 年底量產(chǎn) 10 納米，且屆時(shí)產(chǎn)能將能滿足客戶的需求。
先前外資圈即傳出臺(tái)積電 10 納米制程技術(shù)大幅提升，Morgan Stanley 日前發(fā)布的投資報(bào)告也看好 EUV 技術(shù)，認(rèn)為其有助于臺(tái)積電在 10 納米以下制程迎頭趕上英特爾。
據(jù)先前媒體報(bào)導(dǎo)，英特爾 10 納米技術(shù)預(yù)計(jì) 2016 年下半年量產(chǎn)、采用 10 納米技術(shù)的 Cannonlake 處理器于 2017 年上半年出貨，而三星今年二月已于舊金山展示移動(dòng)設(shè)備用 10 納米 FinFET 半導(dǎo)體制程，也被認(rèn)為有機(jī)會(huì)趕在英特爾之前推出 10 納米移動(dòng)芯片組。
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