三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
2013-11-10 21:51:31 本站原創硅半導體工藝的極限在哪里?至少短期內，各大廠商都還在發力沖刺。除了即將量產的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。
三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經取得重大突破，完成了測試樣品、設計基礎設施的準備工作，還有ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等眾多合作伙伴的支持。
不過時至今日，三星也沒有披露14nm具體會在什么時候量產，有消息稱要到2015年初，Exynos 6就等它了。
再往后，10nm技術也正在按計劃研發之中，并會繼續使用FinFET，還會初步嘗試使用極紫外光刻(EUV)，和業內步調一致。
此外，Intel、臺積電、GlobalFoundries也都在積極推進10nm技術的研發，屆時還有可能用上450毫米大晶圓。
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