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隨著世界變得越來越相互關聯(lián)，對更快、更高效的通信網(wǎng)絡的需求不斷增長。為了滿足這一需求，研究人員正在開發(fā)5G和6G，以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群涂煽啃浴?/span>

然而，這些先進通信網(wǎng)絡的主要挑戰(zhàn)是確保在更高頻段可靠運行。為解決這個問題，NTT 公司最近發(fā)布了一款新的放大器 IC 模塊，可提供高達 100 GHz 帶寬的高放大性能。

使用 InP HBT 技術(shù)的基帶放大器 IC裸片照片

高頻段提高了與 5G 和 6G 等下一代通信技術(shù)相關的數(shù)據(jù)速率。例如，5G 毫米波頻段的工作頻率范圍為 24 GHz 至 40 GHz，而 6G 毫米波頻段的工作頻率預計為 100 GHz 至 1 THz。

雖然這些更高的頻率帶來了更快的通信數(shù)據(jù)速率，但它們也帶來了許多重大的設計挑戰(zhàn)。

高頻信號沿傳輸介質(zhì)遇到傳輸線效應。

RF 電子設備中高頻的主要挑戰(zhàn)之一是存在顯著的信號衰減。當高頻信號通過傳輸介質(zhì)傳播時，它們會遇到傳輸線效應，例如導致能量損失和信號幅度降低的寄生效應。在高級模型中，射頻信號的信號衰減與頻率成正比，這意味著頻率越高，信號衰減越大。 

增益和帶寬通常是折衷的。圖片由Petteri Aimonen提供 

放大通過增加信號的幅度來幫助糾正與信號衰減相關的問題。關于失真，適當?shù)姆糯笥兄谕ㄟ^確保信號被線性放大來減少失真，從而保持原始信號的完整性。

上周，NTT 公司發(fā)布了一款帶寬為 100 GHz 的高頻射頻放大器。

這一突破基于兩項重大創(chuàng)新：使用基于磷化銦(InP) 的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管 (InP HBT) 技術(shù)和先進的封裝，將DC 模塊集成到芯片中。通過這些技術(shù)的結(jié)合，NTT在1平方毫米的封裝內(nèi)創(chuàng)造了一個新的放大器IC模塊，實現(xiàn)了高頻下的高增益，并在100 GHz頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)了相對平坦的頻率響應。 

雖然更多細節(jié)尚未公布，但研究人員聲稱已經(jīng)證明放大器 IC 模塊可以無失真地放大符號率（symbol rate）為 112G波特的超寬帶 PAM-4 信號。該公司希望其突破性成果將在創(chuàng)新光無線網(wǎng)絡（ IOWN）和6G毫米波等未來高速通信網(wǎng)絡中發(fā)揮至關重要的作用。