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Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %

2020-07-10 15:15:30 Vishay

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET®和低邊SkyFET® MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時有助于減少元器件數量，簡化設計，適用于計算和通信應用功率轉換。

日前發布器件中的兩個MOSFET采用半橋配置內部連接。通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，最大導通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，導通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW。兩個MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導通電阻的雙片器件節省65 %的空間，是市場上最緊湊的集成產品之一。器件為設計人員提供節省空間的解決方案，適用于圖形加速卡、計算機、服務器以及通信和RF網絡設備的負載點（POL）轉換、電源以及同步降壓和DC / DC轉換器。

雙MOSFET采用獨特的引腳配置結構，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產品高11 %，此外，輸出電流超過20 A時具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強散熱，優化電路，簡化PCB布局。

SiZF300DT 經過100 % Rg和UIS測試，符合RoHS要求標準，無鹵素。

新款雙MOSFET模塊現可提供樣品并已實現量產，大宗訂貨供貨周期為12周。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

關鍵詞： Vishay 工業電子 MOSFET