英飛凌推出適用于高能效電動汽車快充的650V CoolMOS? CFD7A
2023-12-05 10:54:35 英飛凌【2023 年 11 月 27 日，德國慕尼黑訊】向電動汽車的加速轉型推動汽車充電系統取得了重要的創新成果，這愈發需要更具成本效益的高性能功率電子器件。為此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出QDPAK封裝，進一步擴展其650 V CoolMOS? CFD7A產品陣容。與行業熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封裝的產品系列具有同等的散熱能力，但電氣性能更高，能夠在車載充電器和DC-DC轉換器中實現高效的能源利用。
650 V CooMOS CFD7A
高效且強大的電動汽車充電系統有助于縮短充電時間、減輕汽車重量、提高設計靈活性并降低汽車的總體擁有成本。這一新產品系列通過頂部和底部冷卻封裝實現了多種功能和優勢特性，是對現有CoolMOS CFD7A產品系列的有效補充。QDPAK TSC（頂部冷卻）封裝使設計人員能夠實現更高的功率密度和更佳的PCB空間利用率。
650 V CoolMOS CFD7A提供了支持在高壓應用中可靠運行的多項重要功能。由于降低了寄生電感，該器件可以最大程度地減少電磁干擾（EMI），確保清晰的信號和穩定的性能。開爾文源極引腳提高了電流檢測的精度，即使在惡劣條件下也能保證測量的準確性。該器件具有適合高壓應用的爬電距離，以及在25°C溫度環境下高達694 W的大電流能力和高功率耗散（Ptot）能力，是一款適用于各種高壓應用的強大通用器件。
采用基于QDPAK TSC封裝的650 V CoolMOS CFD7A器件，進行新系統設計，將最大限度地利用PCB空間，使功率密度加倍，并通過板級去耦加強散熱管理。這種方法簡化了裝配、避免了電路板堆疊，并減少了對連接器的需求，從而降低了系統成本。該電源開關可降低高達35%的熱阻，提供比標準冷卻解決方案更優的高功率耗散能力。
該特性克服了在底部冷卻SMD設計中采用FR4 PCB所帶來的熱限制，顯著提高了系統性能。經過優化的電源環路設計將驅動器置于電源開關附近，通過降低雜散電感和芯片溫度來提高可靠性?？傊?，這些特性有助于構建一個具有高成本效益、穩健、高效的系統，能夠很好地滿足現代化的充電需求。
正如2023年2月所宣布的，適合高功率應用的QDPAK TSC封裝已注冊為JEDEC標準，通過統一的標準封裝設計和占板面積，推動TSC封裝在新型設計中的廣泛采用。為進一步加快這一轉型，英飛凌還將于2024年發布更多用于車載充電器和DC-DC轉換器的、采用QDPAK TSC封裝的車規級器件，例如750 V CoolSiC?器件和1200 V CoolSiC?器件等。
供貨情況
650 V CoolMOS CFD7A器件采用了QDPAK封裝，共有兩個版本，分別采用了頂部冷卻（TSC）封裝和底部冷卻（BSC）封裝兩種形式。
