隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。Nexperia GaN FET產品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器等項目中開展研發合作。Nexperia氮化鎵工藝技術基于成熟可靠的量產工藝,極低的開關品質因數(RDS(on) x QGD)和反向恢復電荷(Qrr)支持高開關頻率,同時提供較低的功耗和更高效的功率轉換。Nexperia的全球自有化生產基地使我們能夠向市場提供真正符合車規級AEC-Q101的產品。