英飛凌OptiMOS? 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)
2025-05-16 16:58:49 英飛凌【2025年5月16日, 德國慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺的 IBC級。應(yīng)用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當(dāng)于每kW負載節(jié)省約4.3 W。如果能擴展到系統(tǒng)層面，如服務(wù)器機架或整個數(shù)據(jù)中心，則將帶來顯著的節(jié)能效果。例如在一個擁有2,000個機架的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心推廣該方案，每小時可節(jié)能1.2 MWh以上，這相當(dāng)于為25輛小型電動汽車充電所需的能量。該方案能夠為數(shù)據(jù)中心運營商節(jié)約成本和減少碳足跡，具有顯著的效益。
由于AI計算需求不斷增長，市場對高效功率管理解決方案的需求也將隨之上升。英飛凌的 OptiMOS? 6 80V 可滿足日益增長的能效需求，提供適用于AI服務(wù)器 IBC的高性能解決方案。該MOSFET 采用 5x6 mm2 DSC 封裝，在硬開關(guān)拓撲中擁有更好的開關(guān)性能，且通過降低導(dǎo)通損耗提高了能效。此外，這種緊湊型封裝可實現(xiàn)雙面散熱，有助于改善熱管理和提高功率密度，這對于空間有限的AI服務(wù)器環(huán)境至關(guān)重要。
英飛凌擁有廣泛的硅基功率MOSFET產(chǎn)品組合，其中的OptiMOS? 6 80V專為滿足AI服務(wù)器應(yīng)用對性能、效率和集成度日益增長的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品組合采用最新的MOSFET 技術(shù)，并根據(jù)不同用途推出了多種型號，所有產(chǎn)品均針對不同的散熱設(shè)計和系統(tǒng)要求進行了優(yōu)化。英飛凌硅基功率MOSFET達到最高質(zhì)量和保護標(biāo)準(zhǔn)，因此產(chǎn)品的可靠性、系統(tǒng)正常運行時間和電源穩(wěn)定性均有保障。
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